| Patente EE.UU. Documento(s): | |
| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
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| Demanda (s): | Un útil flúido que pule para pulir los materiales de la barrera tantalio-que contienen de abarcar del substrato del semiconductor: un compuesto nitrogen-containing que tiene por lo menos dos átomos del nitrógeno el abarcar por lo menos de uno de un compuesto de un fórmula seleccionado de abarcar del grupo: compuestos del imina y compuestos de la hidracina R3R4N - N R5R6 (ii), en donde R1 abarca - H o - el NH2 y R2, R3, R4, R5 y R6 abarque independientemente los sustitutos seleccionados del grupo que consiste en - H, un grupo del hidrocarburo, un grupo amino, un grupo de carbonyl, un grupo del imido, un grupo azo, un grupo cyano, un grupo del thio, un grupo del seleno y - O7 donde R7 abarca un grupo del hidrocarburo, y el compuesto nitrogen-containing que está libre de sustitutos electrón-que se retiran; y el líquido que pule que es capaz de quitar los materiales de la barrera tantalio-que contienen de una superficie del substrato del semiconductor sin un abrasivo. El líquido que pule de la demanda 1, en donde el líquido que pule tiene partículas del abrasivo de los por ciento de 0 a 5 pesos. El líquido que pule de la demanda 1, en donde el compuesto nitrogen-containing contiene el compuesto del imina. |
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| Descripción: | FONDOLa invención se relaciona con los substratos del semiconductor que pulen y, más particularmente, con los líquidos que pulen abrasivo-libres para quitar capas de barrera.El circuito interconecta para los dispositivos de semiconductor se puede formar en una capa dieléctrica en la cual se arreglen los fosos múltiples. Interconecta son formados aplicando una película de la barrera sobre la capa dieléctrica subyacente, seguida aplicando una capa del metal sobre la película de la barrera. La capa del metal se forma a un suficiente grueso para llenar los fosos del metal. El proceso de la fabricación de la interconexión incluye el uso de un proceso que pule mecánico químico de dos etapas (CMP).El CMP refiere a un proceso de pulir una oblea de semiconductor con un cojín que pule y un líquido que pule. En un primer paso que pule, la capa del metal se quita de la película subyacente de la barrera y de la capa dieléctrica subyacente. Se quita la capa del metal, ambos por la abrasión son aplicados por el cojín que pule, y por la reacción química con el líquido que pule acompañado por la disolución de los productos de la reacción química. El primer paso que pule quita la capa del metal, dejando una superficie pulida planar lisa en la oblea, y fomenta dejar el metal en los fosos para proporcionar el circuito interconecta que son substancialmente planar con la superficie pulida. Además de retiro del metal, algunos procesos que pulen del primero-paso requieren retiro de una capa dieléctrica. Por ejemplo, Lee y otros., en el patente del EP. Publicación. No. 1 072 662 A1, divulgan el uso del guanidine como acelerador de la abrasión para acelerar la tarifa dieléctrica del retiro de una composición abrasiva.Un proceso que pule del primero-paso típico incluye una solución acuosa que tiene un reactivo que oxida, tal como KNO3 o H2O2, en un líquido que pule quitar el cobre interconecta. La capa de cobre del metal es quitada por la oxidación de la capa del metal por el reactivo que ox |
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