| Examinador Principal: | Konick; Bernard
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| Asistente Examinador: | McElheny; Donald
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| Patente EE.UU. Documento(s): | |
3986178
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McElroy et al.
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October 01, 1976
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| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
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| Demanda (s): | Qué demando como nuevo y deseo asegurar por las patentes de letras de los Estados Unidos es: 1. Una célula del registro del semiconductor que tiene una pluralidad de puertas integradas de la lógica de la inyección, por lo menos una línea del datainput, y por lo menos una escribe la línea, abarcando: una primera puerta integrada de la lógica de la inyección que tenía una entrada del inyector y una salida, el inyector entró ser juntado a la linea de entrada de datos; una segunda puerta integrada de la lógica de la inyección que tiene un injectorinput, una entrada de señal y una salida, la entrada de señal que es juntada a la salida de la primera puerta integrada de la lógica de la inyección, y por lo menos la escribe la línea que es juntada a la entrada del inyector de la segunda puerta de la lógica a la información del permiso en la linea de entrada de datos del atleast uno para incorporar la célula del registro cuando es actual en la línea del escribir permite la segunda puerta de la lógica. 2. La célula del registro de la demanda 1 más lejos que tenía un tercer integró la puerta de la lógica de la inyección que tenía una entrada del inyector juntada a la línea del escribir y que también es permitida por la línea del escribir. |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓNEsta invención se relaciona con las memorias de los datos, y más particularmente, se relaciona con el trazado de circuito y el método para proporcionar el buffering de la entrada y de la salida para una célula de memoria usando la lógica integrada de la inyección (I.sup.2 L).Un I.sup.2 L célula de memoria fue divulgado en un artículo por el S. K. Wiedmann que aparece en el diario de IEEE de circuitos de estado sólido en octubre de 1973 en la página 332. Cuando muchas tales células se utilizan en una memoria llega a ser necesario proporcionar algo de aislamiento orbuffering entre las células, si no, los datos que aparecen en el terminal de la entrada pueden disturbar muy bien el contenido de otras células dentro de la memoria. También el buffering de la salida debe ser proporcionado u otras células en la memoria pueden interferir con la lectura apropiada de un desiredcell. Un resistor o un diodo en serie con la puerta de entrada de la célula de memoria y de la linea de entrada de datos se podía utilizar para proporcionar el buffering deseado. Sin embargo, puesto que muchos I.sup.2 L células de memoria más otro trazado de circuito y registros del interfaz pueden todos bemanufactured en una sola viruta del circuito integrado que llega a ser excesivamente costoso en la cantidad de área de la viruta consumida apenas para aislar por separado los resistores o los diodos en el semiconductor saltan. Además, puesto que los resistores deben ser grandes en aislante óhmico del valueto adecuadamente las células requerirían un área relativamente grande de la viruta del semiconductor.Debido al precedente, debe ahora ser entendido que sería deseable proporcionar un esquema mejorado del aislamiento para la célula de memoria que solucionaría el antedicho y otros problemas.Por consiguiente, uno de los objetos de la actual invención es proporcionar una célula de memoria mejorada que no cause ni no sufra de efectos hogging actuales con las células adyacentes.Ot |
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| Patente de EE.UU.:
| 4099263 |