FONDO DE LA INVENCIÓN

[0001] 1. Campo de la invención

[0002] La actual invención se relaciona con un circuito integrado del semiconductor el condensador y a un método de fabricar el semiconductor integró condensador del circuito. Más particularmente, la actual invención se relaciona con a condensador que tiene un metal del aislador del metal (más abajo, referido como ) Estructura “MIM”, que se puede utilizar en un circuito de lógica o un análogo circuito. La actual invención también se relaciona con los métodos de hacer tales MIM condensadores.

[0003] 2. Descripción del arte relacionado

[0004] Un circuito integrado del semiconductor se puede clasificar generalmente en dos clases: (i) un circuito integrado digital, también designado a circuito de lógica del las cuales señal de salida es CON./DESC. dependiendo de la variación una señal de entrada; y (ii) un circuito integrado análogo, también referido como un circuito análogo dependiendo de las cuales señal de salida se varía linear la variación de una señal de entrada. Estas dos clases de integrado los circuitos pueden memorizar la información dependiendo de la presencia de electrones cargado en un condensador sin importar si el circuito sea un digital circuito o un circuito análogo. Por consiguiente, mientras que fabrica el condensador, su capacitancia se debe aislar de las influencias traídas sobre por variaciones en voltaje o temperatura para mantener normal características de funcionamiento de estos circuitos.

[0005] Así, la corriente tiende en fabricar un semiconductor integrado el circuito (circuito análogo del Cmos) prepara el condensador que tiene a Estructura del Polysilicon-Aislador-Polysilicon (PIPA) o una estructura MIM eso es independiente de estas variaciones, en contraste con el convencional condensador de óxido metálico del transistor del efecto de campo del semiconductor (MOSFET) o condensador de la ensambladura. El condensador MIM-estructurado es desventajoso porque tiene una capacitancia más grande por un área de unidad que la PIPA condensador. La estructura MIM tiene, sin embargo, cuando está comparada a la PIPA estructura, un buen coeficiente del voltaje de la capacitancia (VCC), que denota una variación disminuida en capacitancia según variaciones en voltaje. El condensador MIM-estructurado también tiene un buen coeficiente de la temperatura de Capacitancia (TCC), que denota una variación disminuida en capacitancia según variaciones en temperatura. Por ejemplo, un MIM convencional el condensador tiene generalmente un VCC de 60 porciones por millón de (PPM) /V y un TCC de 70 ppm/.degree. C., mientras que un condensador convencional de la PIPA tiene generalmente a VCC de 220 ppm/V y de un TCC de 120 ppm/.degree. C. Por lo tanto, el MIM el condensador es más útil en fabricar un producto análogo exacto, y hoy, los circuitos de lógica y los circuitos análogos están típicamente fabricado para tener un condensador MIM-estructurado.

[0006] Figs.as. 1 a 4 ilustra un método de proceso para fabricar a condensador que tiene una estructura MIM útil en un circuito de lógica convencional o circuito análogo. Referente a los dibujos, el método que fabrica sea descrito más abajo.

[0007] Según lo ilustrado en HIGO. 1, una primera capa conductora (típicamente abarcado de una aleación (del Al aluminio-que contiene)) se forma en substrato aislador 100 por un proceso al azar de la metalización, y entonces grabado al agua fuerte usando un patrón del photoresist (no demostrado) como máscara para definir a pieza de la formación del condensador y una partición de la formación del alambre. Esto al azar la metalización y el proceso de la aguafuerte forma simultáneamente una primera línea del alambre 102b y un electrodo más bajo 102a en el substrato 100. En este caso, la primera línea 102b del alambre se forma para ser conectada eléctricamente con un al azar ate con alambre la línea en el substrato aislador 100 por medio de un enchufe conductor (no demostrado).

[0008] Según lo ilustrado en HIGO. 2, a planarized capa de aislamiento del interlevel 104 se forma en la capa de aislamiento 100, que ahora incluye el primer alambre línea 102b y el electrodo más bajo 102a. Planarized el interlevel la capa de aislamiento 104 entonces se graba al agua fuerte selectivamente de tal modo a la exposición a parte predeterminada de la superficie del electrodo más bajo 102a, así formación de un primer vía el agujero h1 en la capa de aislamiento 104.

[0009] Según lo ilustrado en HIGO. 3, una capa dieléctrica 106 se forma en emerja dentro del primer vía el agujero h1, y en el aislamiento del interlevel capa 104 usando un método del CVD. La capa dieléctrica 106 y la capa de aislamiento del interlevel 104 entonces se graba al agua fuerte selectivamente a la exposición a superficie predeterminada de la primera línea 102b del alambre, de tal modo formando a en segundo lugar vía el agujero h2 en la capa de aislamiento 104 y la capa dieléctrica 106. El segundo vía el agujero h2 es típicamente más estrecho en anchura cuando está comparado a el primer vía el agujero h1, según las indicaciones del HIGO. 3. La capa dieléctrica 106 se forma generalmente usando una estructura de niveles múltiples del Silicio-óxido del plasma/del plasma Silicio-nitruro o del Silicio-óxido del plasma/del plasma-oxynitride. Después de eso, una farfulla el grabar al agua fuerte, también designado el RF farfulla la aguafuerte, usando RF (radio El diagonal de la frecuencia) se realiza para quitar una capa del óxido que pueda quedar orientada la superficie expuesta de la primera línea 102b del alambre. Capas del óxido que pueden queda orientada la superficie de la línea 102b del alambre incluye, por ejemplo, una aguafuerte subproducto (e.g., Al.sub.2O.sub.3, o polímero) generados en el paso de grabar al agua fuerte la capa de aislamiento del interlevel 104 y la capa dieléctrica 106, o una capa natural del óxido.

[0010] Según lo ilustrado en HIGO. 4, un enchufe conductor 108 (típicamente abarcado de un material del tungsteno (w)) se forma selectivamente solamente en en segundo lugar vía el agujero h2. Una segunda capa conductora de una aleación del Al entonces está formado en el área total de la superficie que resulta, y grabado al agua fuerte usando un patrón del photoresist (no demostrado) como máscara para definir un condensador pieza de la formación (102a/106/110a) y una línea pieza del alambre de la formación (102b/108/110b). Este proceso de la aguafuerte forma simultáneamente un segundo alambre alinee 110b y un electrodo superior 110a, de tal modo terminando el proceso.

[0011] Por consiguiente, una línea del alambre se forma en una parte predeterminada de la capa de aislamiento 100 en el de niveles múltiples sucesivamente depositada la estructura de primero y el segundo alambre alinea 102b y 110b, el poner el enchufe conductor 108 therebetween. Además, un condensador que tiene un MIM la estructura se forma en la capa de aislamiento 100 en un lado del alambre línea. Según las indicaciones de HIGO. 4, el condensador que tiene la estructura MIM es abarcado del electrodo más bajo 102a y del electrodo superior 110a del El material de la aleación del Al con la capa dieléctrica 106 therebetween.

[0012] Se ha encontrado que si un condensador para el uso en una lógica o un análogo se fabrica el circuito usando el proceso descrito antes, el siguiente los problemas se generan durante la progresión de proceso. Al grabar al agua fuerte capa de aislamiento del interlevel 104 para formar el primer vía el agujero h1, una pieza del electrodo más bajo 102a también anisotropically se graba al agua fuerte con capa de aislamiento del interlevel 104. Así, cuando se termina el proceso, a pieza del electrodo más bajo 102a en el lado más bajo externo del primer vía el agujero h1 es socavado y un surco se genera en esto.

[0013] Cuando se deposita la capa dieléctrica 106, la capa dieléctrica puede completar el surco imperfecto, así causando una desconexión inferioridad de la capa dieléctrica. Con esta inferioridad de la desconexión, el circuito no puede tener una capacitancia uniforme debido a salida de la energía, y las características características del condensador se disminuyen así. En la caja extrema, el condensador se puede romper, dando por resultado una disminución de producción. Una cantidad considerable de investigación y de desarrollo por lo tanto tiene expendido en buscar una solución a estos problemas.

[0014] HIGO. 5 es un diagrama agrandado de la parte “I” del HIGO. 3. Según las indicaciones de HIGO. 5, las piezas denotadas por la demostración de la referencia “A” donde la desconexión la inferioridad de la capa dieléctrica se puede generar en el surco formado cerca el socavar del electrodo más bajo 102a.

RESUMEN DE LA INVENCIÓN

[0015] Existe una necesidad de desarrollar un circuito integrado del semiconductor condensador que no sufre de las enfermerías ya mencionadas. Por consiguiente, la actual invención se dirige a un semiconductor condensador del circuito integrado y su método que fabrica eso evita substancialmente uno o más de los problemas debido a las limitaciones y las desventajas del arte relacionado. Una característica del presente la invención por lo tanto es proporcionar un circuito integrado del semiconductor condensador, y un método con eficacia de hacer el condensador. el condensador inventivo se utiliza preferiblemente en un circuito de lógica y/o circuito análogo.

[0016] De acuerdo con éstos y otras características del presente la invención, según lo incorporada y descrita ampliamente, allí es a proporcionada condensador del circuito integrado del semiconductor que incluye:

[0017] un substrato aislador;

[0018] un electrodo más bajo dispuso en una parte predeterminada de substrato aislador;

[0019] una capa de aislamiento del interlevel dispuso en el substrato aislador y en el electrodo más bajo;

[0020] a vía el agujero que tiene flancos, por el que vía el agujero pase a través la capa de aislamiento del interlevel y expone una superficie predeterminada de el electrodo más bajo;

[0021] un espaciador dispuso en los flancos del vía el agujero;

[0022] una capa dieléctrica dispuso encendido: (i) un fondo del vía agujero adyacente a la superficie predeterminada del electrodo más bajo; (ii) a parte predeterminada de la capa de aislamiento; y (iii) el espaciador; y

[0023] un electrodo superior dispuso en una parte predeterminada de capa de aislamiento del interlevel y dispuesto en la capa dieléctrica.

[0024] De acuerdo con una característica adicional de la invención, hay proporcionó un método de hacer un condensador del circuito integrado del semiconductor por:

[0025] proporcionando un substrato aislador;

[0026] simultáneamente formando una primera línea del alambre y un electrodo más bajo encendido superficies predeterminadas del substrato aislador;

[0027] formando una capa de aislamiento del interlevel en el substrato y en primera línea del alambre y un electrodo más bajo;

[0028] selectivamente grabando al agua fuerte la capa de aislamiento del interlevel a la exposición a superficie predeterminada del electrodo más bajo y de una superficie predeterminada de la primera línea del alambre que forma de tal modo simultáneamente en el interlevel capa de aislamiento: (i) un primer vía el agujero que tiene flancos y dispuesto sobre el electrodo más bajo; y (ii) al segundo vía el agujero dispuso sobre primera línea del alambre;

[0029] formando una capa conductora en la capa de aislamiento del interlevel y en el primer y el segundo vía los agujeros;

[0030] grabando al agua fuerte detrás la capa conductora a la forma: (i) un espaciador en flancos del primeros vía el agujero; (ii) un conductor enchufa el segundo vía agujero; y (iii) una superficie expuesta que contiene el espaciador, conductor tape, la superficie predeterminada del electrodo más bajo, y predeterminó superficies de la capa de aislamiento del interlevel;

[0031] formando una capa dieléctrica en la superficie expuesta;

[0032] quitando la capa dieléctrica en la superficie expuesta a excepción de a la porción predeterminada de la capa dieléctrica dispuso en el espaciador y superficie predeterminada del electrodo más bajo; y

[0033] simultáneamente formando: (i) una segunda línea del alambre conectó con enchufe conductor; y (ii) un electrodo superior conectó con el dieléctrico capa.

[0034] Debe ser entendido que ambos la descripción general precedente y la descripción detallada siguiente es ejemplar y explicativa y se piensan proporcionar otra explicación de la invención como demandado. Las características y las ventajas adicionales de la invención serán fijadas adelante en la descripción que sigue y, en parte, sea evidente de la descripción, o puede ser aprendido por la práctica de la invención. los objetivos y otras ventajas de la invención serán observados y logrado por la estructura precisó particularmente en escrito descripción y demandas de esto así como los dibujos añadidos.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS

[0035] Los dibujos de acompañamiento, que se incluyen para proporcionar un más futuro la comprensión de la invención y se incorpora adentro y constituye a parte de esta especificación, ilustre las encarnaciones de la invención y junto con la descripción, sirva para explicar los principios del invención.

[0036] En los dibujos:

[0037] Figs.as. 1 a 4 ilustra un método de fabricar un convencional lógica y/o condensador análogo del circuito que tienen una estructura MIM;

[0038] HIGO. 5 es un diagrama ampliado de la parte I del HIGO. 3, ilustrando a inferioridad de proceso causada en fabricar un condensador basado sobre proceso ilustrado en las figs.as. 1 a 4; y

[0039] Figs.as. 6 a 10 ilustran un método de hacer una lógica y/o un análogo circule el condensador que tiene una estructura MIM de acuerdo con el presente invención.

DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LAS ENCARNACIONES PREFERIDAS

[0040] Patente coreana número de solicitud. 98-43463, archivado el oct. 17, 1998, es incorporado por la referencia adjunto en su totalidad. La referencia ahora estará hecho detalladamente a las encarnaciones preferidas de la actual invención, ejemplos de los cuales se ilustran en los dibujos de acompañamiento. En los dibujos, como números de la referencia denotan como encarnaciones.

[0041] Cuando cierta capa se describe para ser "ON" o “sobre” otro la capa o el substrato, la cierta capa puede existir directamente en la otra la capa o el substrato y unas o más capas adicionales pueden ser interpuestos entre la cierta capa y la otra capa o substrato. Un análogo la definición se piensa para las palabras “debajo” y de “debajo.”

[0042] Una característica preferida de la actual invención es un semiconductor condensador del circuito integrado que tiene una estructura MIM que el fabricar el proceso se altera para formar simultáneamente el primer vía el agujero h1 en a la pieza de la formación del condensador y el segundo vía el agujero h2 en un alambre alinean pieza de la formación al formar y grabando al agua fuerte la capa dieléctrica. En esto la encarnación, un espaciador y un enchufe conductor se forman preferiblemente respectivamente en los flancos internos del primeros vía el agujero y en el segundo vía el agujero. El espaciador y el enchufe conductor son formados preferiblemente por a el proceso que deposita de la capa conductora, seguido por graba al agua fuerte-detrás proceso, tan que se inclina el perfil lateral del espaciador presente en el primer vía el agujero levemente. Los expertos en la materia son capaces sucesivamente de depositar (es decir. formación) y grabar al agua fuerte capas en un circuito integrado usando métodos sabido en el arte. Por ejemplo, las capas pueden ser (o formado) el usar depositado varias técnicas de la deposición, como la metalización al azar, vapor químico deposición (CVD), deposición del plasma, y similares. Aguafuerte selectiva también puede ser efectuado usando, por ejemplo, las composiciones del photoresist y las máscaras.

[0043] De acuerdo con la invención, el método de fabricación el condensador del circuito integrado del semiconductor es preferiblemente diferente de el proceso convencional formando el primer y el segundo vía los agujeros simultáneamente. El método también es preferiblemente diferente de proceso convencional formando una capa dieléctrica tales que el lado el perfil del primer vía el agujero se inclina levemente usando un espaciador que se inclina hecho del material conductor de la capa. El método inventivo por lo tanto emplea la característica solamente, o ambas características en la combinación. el espaciador que se inclina tiene preferiblemente un diámetro cerca del electrodo más bajo que es más pequeño que el diámetro más lejos del electrodo más bajo. En adición, este espaciador que se inclina que forma los lados que se inclinan del primeros vía el agujero previene la desconexión de la capa dieléctrica en ambos bordes más bajos del primero vía el agujero de tal modo que realza la producción. El condensador inventivo, método de hacerlo, así como encarnaciones particularmente preferido de eso, ahora será descrito como sigue referente a las figs.as. 6 a 10.

[0044] Figs.as. 6 a 10 ilustran un condensador y un método de fabricación condensador que tiene una estructura MIM. El condensador de la invención se utiliza preferiblemente en una lógica y/o un circuito análogo. Un método preferido de la fabricación el condensador es descrito más abajo.

[0045] HIGO. 6 ilustra la formación (es decir, deposición) de un primera capa conductora, abarcada preferiblemente de un aluminio (Al) y/o de cobre (Cu) alee contener el material o las mezclas de estos materiales. El primer la capa conductora se forma en un substrato aislador 200 y puede ser depositado por cualquier técnica sabida, pero es formado preferiblemente por un al azar proceso de la metalización. La primera capa conductora entonces se puede grabar al agua fuerte cerca con un photoresist modele (no demostrado) como máscara para definir una línea del alambre la pieza de la formación y una formación del condensador pieza, de tal modo cada uno respectivamente formando un primer alambre alinee 202b y un electrodo más bajo 202a en substrato 200. Aunque no está demostrado, será apreciado que el primer la línea 202b del alambre se puede conectar eléctricamente con una línea al azar del alambre presente en el substrato aislador 200 por medio de, por ejemplo, a enchufe conductor, y similares.

[0046] En el proceso inventivo, la característica que modela de la capa puede reálcese, y la resistencia del contacto entre la capa de aislamiento 200 y el electrodo más bajo 202a puede ser disminuido formando el primer alambre alinee 202b y el electrodo más bajo 202a en un particularmente preferido manera. En esta encarnación, la primera línea 202b del alambre y el más bajo el electrodo 202a es formado y grabado al agua fuerte usando un patrón del photoresist (no demostrado) como máscara para definir una pieza de la formación del condensador y un alambre línea partición de la formación. La primera línea 202b del alambre y el electrodo más bajo 202a son formados preferiblemente sucesivamente depositando una barrera del metal acode (no demostrado), la primera capa conductora y antireflejos acode (no demostrado) en el substrato aislador 200. La barrera del metal la capa y/o la capa de los antireflejos pueden ser: (i) un single-level estructure contener un material seleccionado del Ti, TA, MES, lata, TiW, TaN, y lunes; y/o (ii) una estructura de niveles múltiples que contiene los materiales seleccionado de W--N, W--Silicio--N, TA--Silicio--N, W--B--N, y Ti--Silicio--N; y/o (iii) mezclas de (i) y de (ii).

[0047] HIGO. 7 demostraciones la formación de a planarized el aislamiento del interlevel capa 204 en la capa de aislamiento 200, que ahora incluye el primer alambre línea 202b y el electrodo más bajo 202a. Planarized el interlevel la capa de aislamiento 204 entonces puede ser grabada al agua fuerte, e.g., seco-grabó al agua fuerte, a la exposición a superficie predeterminada del electrodo más bajo 202a y predeterminada superficie de la primera línea 202b del alambre. Este proceso de la aguafuerte simultáneamente produce un primer vía el agujero h1 y un segundo vía el agujero h2. Preferiblemente, el diámetro vía del agujero h1 es más grande que el diámetro vía del agujero h2, como demostrado en HIGO. 7. Según las indicaciones de HIGO. 7, vía el agujero h1 tiene flancos 205 definido por la capa de aislamiento del interlevel 204 restante después de proceso de la aguafuerte. Usar las pautas proporcionó adjunto, los artesanos expertos sea capaz de usar un patrón del photoresist como máscara y/o de grabarlo al agua fuerte capa de aislamiento del interlevel 204 para exponer las superficies predeterminadas de el electrodo más bajo 202a y primera línea 202b del alambre, y a simultáneamente forme vía los agujeros h1 y h2.

[0048] En caso que un restos de la capa del óxido, o se forme en el primer línea 202b del alambre y un electrodo más bajo 202a, (la capa del óxido puede ser el subproducto de la aguafuerte generó en curso de grabar al agua fuerte el interlevel la capa de aislamiento 204, o puede ser una capa natural del óxido), RF farfulla el grabar al agua fuerte preferiblemente se realiza para quitar cualquier capa existente del óxido. Los artesanos expertos son capaces de realizar un RF conveniente farfullan la técnica de la aguafuerte para quitar cualquier óxido indeseable acoda.

[0049] Grabar al agua fuerte la capa de aislamiento del interlevel 204 se puede realizar cerca usando cualquier técnica de la aguafuerte sabida en el arte. Preferiblemente, el interlevel la capa de aislamiento 204 es grabada al agua fuerte por la mojado-aguafuerte o por la seco-aguafuerte. Alternativomente, la mojado-aguafuerte y la seco-aguafuerte se pueden realizar junta a grabe al agua fuerte la capa de aislamiento del interlevel 204 (e.g., realizando la mojado-aguafuerte seguido por la seco-aguafuerte o la seco-aguafuerte de la ejecución siguió por la mojado-aguafuerte y entonces la seco-aguafuerte, el etc.). Cualquier combinación de los procesos de la aguafuerte puede realícese, y los artesanos expertos son capaces de interlevel de la aguafuerte la capa de aislamiento 204 usando las pautas y las técnicas proporcionó adjunto.

[0050] HIGO. 8 ilustra la formación de una segunda capa conductora 206, hecho preferiblemente de un tungsteno (w) que contiene el material, en el interlevel capa de aislamiento 204. La segunda capa conductora 206 también se forma encendido y en el primer y el segundo vía los agujeros h1 y h2. Capa en segundo lugar conductora 206 se pueden depositar (de formado) en las capas conocidas sobre usar técnicas sabidas en el arte.

[0051] HIGO. 9 ilustra grabar al agua fuerte detrás de la segunda capa conductora 206, preferiblemente por la seco-aguafuerte anisotropic, formar un espaciador 208 (preferiblemente hecho de una capa conductora que abarca un tungsteno que contiene el material) encendido flancos internos 205 del primeros vía el agujero h1. Preferiblemente, el espaciador 208 es a espaciador que se inclina tales que el diámetro del espaciador 208 cerca del expuesto la superficie de un electrodo más bajo 202a es más pequeña que el diámetro del espaciador 208 más lejos de la superficie expuesta de un electrodo más bajo 202a. El grabar al agua fuerte detrás de la segunda capa conductora 206 también forma un conductor enchufe 210 (hecho preferiblemente de una capa conductora que abarca un tungsteno conteniendo el material) en el segundo vía el agujero h2. Después selectivamente de grabar al agua fuerte la segunda capa conductora 206, hay el contener superficial expuesto el espaciador 208, enchufe conductor 210, la superficie predeterminada del baje el electrodo 202a, y las superficies predeterminadas restantes del capa de aislamiento del interlevel 204.

[0052] Entonces, una capa dieléctrica 212 se puede formar en la superficie expuesta usando cualquier técnica de la deposición de la capa sabida en el arte. Preferiblemente, se forma la capa dieléctrica 212 usando una deposición de vapor químico (el CVD) método. La capa dieléctrica 212 se puede formar para tener: (i) a estructura single-level que abarca una capa del óxido (que usa la deposición las técnicas que empleaban, por ejemplo, plasma realzaron el óxido (PEOX), P--SiH.sub.4, plasma de alta densidad (HDP)) o una capa del nitruro (capa (que usa las técnicas de la deposición que empleaban, por ejemplo, plasma realzaron el silicio Nitruro (PESiN)); y/o (ii) una estructura de niveles múltiples abarcada de sobre las solas estructuras llanas (por ejemplo, óxido/nitruro, nitruro/óxido, óxido/nitruro/óxido o nitruro/óxido/nitruro).

[0053] Como se describe anteriormente, se prefiere que la capa dieléctrica 212 se forma en el primer vía el agujero h1 de modo que se incline su perfil del lado levemente en virtud del espaciador 208. Esta configuración sirve a prevenga la desconexión inferior en ambos bordes más bajos del primeros vía agujeree h1 que pueda ocurrir en condensadores convencionales, según lo ilustrado en HIGO. 5. En los condensadores convencionales, desconexión en ambos bordes más bajos de vía el agujero h1 ocurre al depositar la capa dieléctrica, (que socava el electrodo más bajo), si es el perfil lateral del vía el agujero h1 no inclinándose, o que tiene un gradiente casi vertical.

[0054] HIGO. 10 ilustra el condensador después de quitar el dieléctrico capa 212 en todas las áreas a excepción de la pieza de la formación del condensador, cuál incluye el electrodo más bajo 202a, el espaciador 208 y capa dieléctrica 212. La capa dieléctrica 212 se puede quitar por cualesquiera la técnica capaz de quitar una capa dieléctrica y, está preferiblemente quitado usando un patrón del photoresist (no demostrado) como máscara para definir a partición de la formación del condensador.

[0055] Después de que las porciones de la capa dieléctrica 212 se quiten, un tercero capa conductora, hecha preferiblemente el contener de una aleación del Al y/o del Cu el material, se puede formar en la capa de aislamiento del interlevel 204, enchufe conductor 210, y la capa dieléctrica 212. El tercer conductor la capa puede entonces ser grabada al agua fuerte usando un patrón del photoresist (no demostrado) como a la máscara para definir la pieza de la formación del condensador y un alambre alinean la formación partición. Una segunda línea 214b del alambre y un electrodo superior 214a pueden entonces estar formado sobre grabar al agua fuerte la tercera capa conductora, de tal modo el terminar proceso de la invención. Según las indicaciones de HIGO. 10, el electrodo superior 214a se forma preferiblemente para tener una anchura más de par en par que la capa dieléctrica 212 en el primer vía el agujero h1. Además, la segunda línea 214b del alambre es conectado con el enchufe conductor 210 del segundo vía el agujero h2.

[0056] En la invención, la característica que modela de la capa puede estar realzado y la resistencia del contacto disminuyó cuando la segunda línea del alambre 214b y el electrodo superior 214a se forman preferiblemente cerca sucesivamente depositar una capa de barrera del metal (no demostrada), la tercera capa conductora y una capa de los antireflejos (no demostrada) en el aislamiento del interlevel capa 204, el enchufe conductor 210, y la capa dieléctrica 212. la capa de barrera del metal y la capa de los antireflejos se pueden hacer de los mismos materiales descritos arriba. Después de depositar estas capas, ellas entonces puede sucesivamente ser grabado al agua fuerte usando un patrón del photoresist (no demostrado) como una máscara, por el que el patrón defina una pieza de la formación del condensador y un alambre línea partición de la formación. Los artesanos expertos en el arte son capaces de la formación y aguafuerte estas capas para formar las partes respectivas de condensador del circuito integrado del semiconductor.

[0057] HIGO. 10 también demuestra que el electrodo más bajo 202a hecho de a el material conductor de la capa se puede formar en una parte predeterminada de capa de aislamiento 200. La capa de aislamiento del interlevel 204 entonces puede estar formado en la capa de aislamiento 200 y el electrodo más bajo 202a. Vía el agujero h1 entonces se forma preferiblemente para pasar con la capa de aislamiento 204 de tal modo para exponer una pieza predeterminada del electrodo más bajo 202a. Después de formar vía el agujero h1, el espaciador 208, preferiblemente teniendo inclinarse superficie según las indicaciones del HIGO. 10 y hecho preferiblemente de una capa conductora el material, se puede formar en flancos del vía el agujero h1. Un dieléctrico la capa 212 entonces se puede formar en el fondo del vía el agujero h1 y en una parte predeterminada de la capa de aislamiento del interlevel 204 de modo que él incluye el espaciador 208. Finalmente, un electrodo superior 214a, preferiblemente hecho de un material conductor de la capa puede ser formado en predeterminado parte de la capa de aislamiento del interlevel 204 y en la capa dieléctrica 212 de tal modo que terminan el condensador que tiene el MIM antedicho estructura.

[0058] De acuerdo con una encarnación preferida de la invención, se forma el condensador de manera que el perfil lateral del primer vía el agujero h1, en virtud de usar el espaciador 208, hecho preferiblemente de a tungsteno que contiene el material, cuestas levemente. En esta encarnación, cuando la capa dieléctrica se deposita en el espaciador que se inclina 208, desconexión en la capa dieléctrica en ambos bordes más bajos del vía el agujero h1 no ocurre, así asegurando una capacitancia y realzar uniformados la producción.

[0059] Será evidente a los expertos en la materia que vario las modificaciones y las variaciones se pueden hacer en el semiconductor integrado circule el condensador y su método de la fabricación sin salir de alcohol o alcance de la invención. Así, se piensa que el presente cubierta de la invención las modificaciones y las variaciones de esta invención con tal que vengan dentro del alcance de las demandas añadidas y su equivalentes.

* * * * *