| Patente EE.UU. Documento(s): | |
| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
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| Demanda (s): | El abarcar del aparato: un primer fijó el fotodiodo formado en un substrato del semiconductor; un primer transistor de la transferencia colocado entre el primer fotodiodo fijado y un nodo de la salida, la combinación del primer fotodiodo fijado dicho y primer del transistor de la transferencia que forman una primera luz que detecta el pixel; un segundo fijó el fotodiodo formado en el substrato dicho del semiconductor; un segundo transistor de la transferencia colocado entre el segundo fotodiodo fijado y el nodo dicho de la salida, la combinación del segundo fotodiodo dicho y en segundo lugar del transistor fijados de la transferencia que forman una segunda luz que detecta el pixel; un transistor del reajuste juntado entre una referencia del voltaje y el nodo de la salida; y un transistor de la salida que se junta al nodo de la salida. El aparato de la demanda 1 en donde la referencia del voltaje es seleccionable entre una referencia V de la baja tensiónss o referencia de alto voltaje Vreferencia. El aparato de la demanda 1 en donde la primera luz dicha que detecta el pixel está en una primera fila de un arsenal de la proyección de imagen y de la segunda luz dicha que detecta el pixel está en una segunda fila de un arsenal de la imagen adyacente a la primera fila dicha. |
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| Descripción: | La actual invención se relaciona con los sensores de la imagen del Cmos, y más particularmente, a un sensor de la imagen del Cmos que tiene una arquitectura del pixel que permita compartir de los transistores de la salida durante lectura.La tecnología del circuito integrado ha revolucionado varios campos, incluyendo las computadoras, los sistemas de control, las telecomunicaciones, y proyección de imagen. En el campo de la proyección de imagen, los sensores activos elogiosos de la imagen del pixel del semiconductor del óxido de metal (Cmos) han hecho incursiones considerables en los usos servidos por los dispositivos acoplados de carga eléctrica de la proyección de imagen. Según lo observado en los E.E.U.U. No. de la patente. 5.625.210 a Lee y otros. (“'la patente 210”), un sensor activo del pixel refiere a un sensor electrónico de la imagen con los dispositivos activos, tales como transistores, que se asocian a cada pixel. El sensor activo del pixel tiene la ventaja de poder incorporar el proceso de señal y de detectar el trazado de circuito dentro del mismo circuito integrado debido a las técnicas de fabricación del Cmos.Un diseño común para un pixel activo es el básico, el pixel activo del tres-transistor Cmos que contiene un fotodiodo; un transistor del reajuste para reajustar el voltaje del fotodiodo, un seguidor de la fuente para la amplificación, y un transistor selecto de la fila para proteger el voltaje del fotodiodo sobre un autobús de la vertical-columna. Sin embargo, el pixel del tres-transistor está careciendo en su capacidad de suprimir el ruido debido a la operación del reajuste, designada ruido del kTC. Además, el pixel del tres-transistor no tiene buena respuesta a la luz azul.Otra estructura activa popular del sensor del pixel consiste en cuatro transistores y un fotodiodo fijado. El fotodiodo fijado ha ganado el favor para que su capacidad tenga bueno respuesta del color para la luz azul, así como ventajas en retraso de la densidad corriente oscu |
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