| Título:
| Laser distribuido del semiconductor de la regeneración para hacer salir la viga de la sola longitud de onda | | Patentes ID: | EP1596481A1 | | Fecha de emisión: |
November 16, 2005 |
| Resumen: | Un laser distribuido del semiconductor de la regeneración incluye un substrato del semiconductor (111), primero y las segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b), una capa que conecta (113), una capa activa (118) y una capa del revestimiento (119). Las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) se proporcionan sobre el substrato del semiconductor (111), y se espacian de uno a en una dirección de la salida de una viga (123). |
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Documento Original:
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Distributed feedback semiconductor laser for outputting beam of single wavelength
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| Inventor(s):
| | Mori, Hiroshi;
(Yamato-shi
Kanagawa-ken,
JP)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Kikugawa, Yomoyuki;
(Atsugi-shi
Kanagawa-ken,
JP)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Takahashi, Yoshio;
(Sagamihara-shi
Kanagawa-ken,
JP)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Fujita, Motoaki;
(Atsugi-shi
Kanagawa-ken,
JP)
| Información de contacto y correo electrónico |
| | Cesionario:
| ANRITSU CORPORATION;
(Minato-ku
Tokyo,
JP)
| | Agente:
| Bohnenberger, Johannes; P.O. Box 860624, 81633 München, DE
| | Solicitud N º:
| EP1596481
| | Fecha de presentación:
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June 17, 2003
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| Intern'l Clase: |
7H 01S 5/12 A
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| Patente EE.UU. Documento(s): | | | De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
| | Demanda (s): | El abarcar distribuido del laser del semiconductor de la regeneración: un substrato del semiconductor (111); primero y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) dispuesta sobre el substrato del semiconductor y espaciada de uno a en una dirección de la salida de una viga (123); una capa que conecta (113) intercalada entre las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b); una capa activa (118) dispuso sobre o debajo de las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) y de la capa que conectaba (113); y una capa del revestimiento (119) dispuso sobre la capa activa (118) o sobre las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) y la capa que conectaba (113), caracterizado en eso una primera rejilla de difracción (116a) que configura la primera capa de la rejilla de difracción (112a) y una segunda rejilla de difracción (116b) que configura la segunda capa de la rejilla de difracción (112b) tiene una misma echada grating (d), una fase del arreglo grating se cambia de puesto espacial entre la primera rejilla de difracción (116a) y la segunda rejilla de difracción (116b). El laser distribuido del semiconductor de la regeneración según la demanda 1, caracterizado en eso la capa activa (118) se dispone debajo de las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) y de la capa que conecta (113), y la capa del revestimiento (119) se dispone sobre las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) y la capa que conecta (113). El laser distribuido del semiconductor de la regeneración según las demandas 1 o 2, caracterizado en eso la capa activa (118) se dispone sobre las primeras y segundas capas de la rejilla de difracción (112a, 112b) y la capa que conecta (113), y la capa del revestimiento (119) se dispone sobre la capa activa (118). |
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| | Descripción: | La actual invención se relaciona con un laser distribuido del semiconductor de la regeneración, y más específicamente con un laser distribuido del semiconductor de la regeneración que haga salir una viga de una sola longitud de onda para los propósitos tales como la comunicación óptica y la medida óptica.Según las indicaciones de HIGO. 21A, un laser convencional del semiconductor que haga salir una viga para el uso en la comunicación óptica y la medida óptica abarca, por ejemplo, un substrato 1 del semiconductor, en el cual una capa activa 2 y una capa 3 del revestimiento se crecen epitaxially.En tal laser del semiconductor, una viga 4 está outputted de cada faceta de la capa activa 2 cuando un voltaje predeterminado se aplica entre una superficie más baja del substrato 1 del semiconductor y una superficie superior de la capa 3 del revestimiento.En la examinación cercana, según las indicaciones del HIGO. 21B, la viga 4 se puede mirar como sistema de vigas cada uno que tiene un λ levemente diverso de la longitud de onda de otros.Para hacer salir la viga 4 de un solo λ de la longitud de onda0, las ofertas se han hecho para un laser distribuido del semiconductor de la regeneración (DFB) según las indicaciones de HIGO. 21C, que incluye una rejilla de difracción 5 formó cerca de la capa activa 2 y en una dirección en la cual la viga 4 está outputted.En un laser del semiconductor de DFB que tiene la rejilla de difracción 5 incorporó en esto, si se asume que n es un índice de refracción eficaz de una guía de onda óptica, y d es una echada grating, de una viga que tiene λ de muchas diverso longitudes de onda y generada de la capa activa 2, una viga 4a que tiene un solo λ de la longitud de onda0 que satisface la condición del λ de la longitud de onda = 2do debe ser outputted.Sin embargo, según este laser del semiconductor de DFB, si el interior formado de la rejilla de difracción 5 es de una fase de tipo continuo, siendo uniforme en la viga que hace salir la dirección según |
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