| Examinador Principal: | Larkins; William D.
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| Patente EE.UU. Documento(s): | |
3840888
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Gaensslen et al.
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October 01, 1974
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3890632
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Ham et al.
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June 01, 1975
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3898684
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Davidsohn
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August 01, 1975
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4015279
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Ham
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March 01, 1977
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| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
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| Demanda (s): | Se exige: 1. Un transistor del metal-óxido-semiconductor que abarcaba una isla del semiconductor, una capa de un aislador adyacente la isla, un electrodo de puerta adyacente el aislador, el islandcomprising pesadamente dopó regiones T-formadas de la fuente y del dren de un primer tipo de la conductividad, un menos dopó la región Yo-formada del canal entre la fuente dicha y las regiones del dren la región del canal que tenía una porción central el abarcar de un canal controlable por el thegate, la puerta que cubría el canal, un par de partes periféricas del segundo tipo de la conductividad doparon a una concentración de portador alrededor de 10.sup.15 atoms/cm.sup.3 o conectaron menos con cada extremo del canal, el canal que era situado solamente por debajo de thegate, las partes periféricas cada uno que extendía lejos de la puerta y el canal y terminando lejos de la puerta y del canal adyacentes la fuente o la región del dren, cada parte periférica que era separada y disjoined de las otras. 2. El transistor de la demanda 1, en donde la región del canal tiene un tipo de la conductividad opuesto de el de la fuente y de las regiones del dren. |
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| Descripción: | Esta invención se relaciona generalmente con ese arte que abarque las islas estructuradas del metal-óxido-semiconductor (MOS) de los transistores de un semiconductor del madeon (mesas).La invención se relaciona específicamente con las estructuras que eliminan efectos del borde en los transistores del mesa del MOS que tienen flancos circundantes (bordes) y más específicamente, a las estructuras que reducen la capacitancia de la corriente y de la ensambladura de la salida en los transitors de MOSmesa.El límite entre un borde y una superficie principal de una isla se refiere adjunto como periferia superior de la isla. Un límite entre un borde y un substrato se refiere adjunto como periferia del botom de la isla. Ciertos anomalouseffects en las características de los transistores del MOS del canal de N y del canal de P ocurren cuando una difusión de la fuente y una difusión del dren entran en contacto con el borde de la isla del semiconductor y una porción de un electrodo de puerta que extienda abajo del borde del islandonto el substrato, tiene porciones de una región de la fuente y de una región del dren adyacentes el óxido por debajo del electrodo. Por ejemplo, en un dispositivo típico de MOS/SOS, una isla del silicio se forma en un substrato del zafiro y una capa de aislamiento de dioxideis del silicio formados adyacente a la isla y al substrato. La isla tiene flancos que se inclinan que formen qué se refiere a veces como el borde de la isla.En la fabricación del dispositivo, la fuente y las regiones del dren son definidas por las aberturas grabadas al agua fuerte en una capa que enmascara, generalmente dióxido del silicio. Las regiones son formadas por una difusión de impurezas a través de estas aberturas. Una formación de las regiones del dren del sourceand define una región adicional therebetween, que adjunto se refiere como región del canal. El área activa de la región del canal, el canal es la base típicamente de la puerta y conecta típicamente la región |
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| Patente de EE.UU.:
| 4054894 |