| Examinador Principal: | Edlow; Martin H.
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| Patente EE.UU. Documento(s): | |
3716424
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Schovlar
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February 01, 1973
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3748593
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Dimmock
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July 01, 1973
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3911469
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Wrobel
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October 01, 1975
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3961998
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Scharnhorst
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April 01, 1975
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3980915
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Chapman
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September 01, 1976
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| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
| Otras Referencias: | Walpole y otros., Appl. Phys. Lett., vol. 23, no. 11, diciembre. 1, 1973, pp. 620-622.
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| Demanda (s): |
Las encarnaciones de la invención en la cual se demanda una característica exclusiva o una derecha se definen como sigue:
1. El abarcar sensible infrarrojo del fotodiodo:
un cuerpo de un primer material del semiconductor, Pb.sub.1.sub. - x Sn.sub.x Te.sub.1.sub. - y Se.sub.y, donde 0.ltoreq.x.ltoreq.1 y 0.ltoreq.y.ltoreq.1;
una capa delgada de un segundo material del semiconductor en por lo menos una porción de una superficie del cuerpo, formando un heterojunction al cuerpo del primer material del semiconductor, el segundo material del semiconductor que tiene un bandgap más ancho que el primer
material del semiconductor; y
medios de la barrera de Schottky unidos a la capa delgada, en donde el heterojunction está dentro de una región de agotamiento asociada a medios de la barrera de Schottky.
2. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 1 en donde el segundo material del semiconductor es Pb.sub.1.sub. - x, Sn.sub.x, Te.sub.1.sub. - y, Se.sub.y, donde x> x'. gtoreq.0 y/o y> y'. gtoreq.0.
3. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 2 en donde la capa delgada tiene un grueso de en medio cerca de 200 A y cerca de 2.000 A.
4. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 3 en donde el segundo material del semiconductor es PbTe.
5. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 4 en donde el primer material tiene p-tipo conductividad.
6. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 5 en donde el segundo material tiene p-tipo conductividad.
7. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 6 en donde los medios de la barrera de Schottky abarcan un contacto de un metal del plomo y del indio que consisten en del grupo.
8. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 1 en donde la capa delgada tiene una concentración de portador intrínseca más baja que el cuerpo.
9. El fotodiodo sensible infrarrojo de la demanda 1 en donde los primeros y segundos materiales del semiconductor tienen el mismo tipo de la conductividad. |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓNLa actual invención se relaciona con los fotodetectores. Particularmente, la actual invención se relaciona con los fotodiodos sensibles infrarrojos mejorados de la barrera de Schottky.Estos últimos años, el telluride de la lata del plomo y el selenide de la lata del plomo se han desarrollado como materiales infrarrojos potenciales del detector para la región importante de la longitud de onda de 8 - 14 micrones. El boquete de energía o el bandgap de estos materiales puede ser variado variando el theratio del plomo, de la lata, del selenio, y del telurio en los materiales.Las barreras de Schottky se han utilizado para fabricar los detectores infrarrojos en el telluride de la lata del plomo y también en el telluride del plomo, usando una barrera que formaba el material tal como plomo, el indio, y otros. Las barreras similares de Schottky se pueden formar en el selenide de la lata del plomo.Un problema que se ha encontrado con los detectores infrarrojos de la barrera de Schottky para la región de la radiación de 8 - 14 micrones ha sido la resistencia diagonal del punto bajo cero de los detectores. La resistencia del detector es más baja que ese funcionamiento necesario del detector del foroptimum.RESUMEN DE LA INVENCIÓNLa actual invención es un detector infrarrojo de la barrera de Schottky que ha aumentado la resistencia diagonal cero sobre los detectores del infrarrojo de la barrera de Schottky del arte anterior. El fotodiodo sensible infrarrojo de la actual invención incluye un cuerpo de un material Pb.sub.1.sub del firstsemiconductor. - x Sn.sub.x Te.sub.1.sub. - y Se.sub.y, donde 0.ltoreq. x.ltoreq. 1 y 0.ltoreq. y.ltoreq. 1. Una capa delgada de un segundo material del semiconductor del mismo tipo del portador está en por lo menos una porción de una superficie de thebody. El segundo material del semiconductor tiene un bandgap más ancho que el primer material del semiconductor. Un metal de la barrera de Schottky se une a la capa delg |
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| Patente de EE.UU.:
| 4021833 |