FONDO DE LA INVENCIÓN

[0001] 1. Campo de la invención

[0002] La actual invención se relaciona con un circuito integrado, a método que fabrica del circuito integrado y un método de evaluación de el circuito del integrar, más particularmente, a un circuito integrado incluyendo una viruta del IC (circuito integrado) usando un semi-aislamiento substrato y un substrato de cerámica en los cuales se pone la viruta del IC y circuito integrado que se puede evaluar en cuanto a una condición de la vinculación entre la viruta del IC y el substrato, y a un método que fabrica y método de evaluación de eso.

[0003] 2. Descripción del arte relacionado

[0004] Según lo sabido, cuando se fabrica un circuito integrado, un proceso el paso llamado una vinculación del dado se realiza. La vinculación del dado es un paso que a la viruta (también llamada un dado) se dividió en un paso que cortaba en cubitos está fijada a a substrato. Se sabe que hay tres métodos que enlazan tales como a pegue la vinculación, una vinculación de la soldadura y una vinculación eutéctica.

[0005] En un circuito integrado fabricado montando usar de la viruta del IC semi-aislador tal como GaAs o INP en un substrato de cerámica, allí ser-mucho casos para los cuales la vinculación de la soldadura y la vinculación eutéctica se utilizan enlazando el IC salte y el substrato de cerámica. En la vinculación de la soldadura, a la hoja de la aleación baja del punto de fusión (a saber, soldadura) se pone entre la viruta y el substrato. Entonces, la hoja es reflowed calentando, por el que se enlazan la viruta y el substrato de cerámica. Además, en la soldadura enlazando, por ejemplo, cuando el wettability de la soldadura no es bueno para salte los materiales o un substrato de cerámica, las películas incluyendo los materiales de los cuales los wettabilities son buenos se forman previamente en uno o ambos superficies de vinculación de la viruta y del substrato de cerámica por un vacío método de la evaporación o similares.

[0006] En la vinculación eutéctica, la viruta y el substrato de cerámica están enlazado usando una reacción difusa entre dos elementos que forman aleación eutéctica. Es decir, en la vinculación eutéctica, según las indicaciones de las figs.as. 9 (A) y 9 (B), una viruta 31 de la cual una superficie de vinculación se proporciona una película 32 incluyendo uno de los dos elementos a ser una aleación eutéctica y un de cerámica substrato 34 de el cual una superficie de vinculación se proporciona una película 33 incluyendo otro elemento se hacen contacto (véase el HIGO. 9 (A)) y calentado temporalmente, para enlazar la viruta 31 y el substrato de cerámica 34 por una aleación eutéctica 35 (y la película 33) (véase el HIGO. 9 (B)). En las figs.as. 9 (A) y 9 (B), toda la película 32 se cambia en una aleación eutéctica, sin embargo, hay un caso que permanece la película 32.

[0007] En la vinculación de la soldadura o la vinculación eutéctica, una porción de la vinculación con resistencia termal muy pequeña puede ser formado. En el eutéctico enlazando, sin embargo, según las indicaciones de HIGO. 10, hay un caso en eso no formar la capa eutéctica 35 de la aleación uniformemente, para un defecto tal como a la cavidad 50 se forma entre la viruta 31 y el substrato de cerámica 34. En la vinculación de la soldadura, allí es también un caso en que una cavidad 50 está formada adentro una porción de la vinculación.

[0008] En un circuito integrado tenga gusto demostrado en HIGO. 10, una termal resistencia entre la viruta 31 y el substrato de cerámica 34 (particularmente, alrededor de la cavidad 50) es alto, por lo tanto, cuando esto el circuito integrado funciona, la temperatura de los aumentos de la viruta 31 comparado con un circuito integrado en de el cual una porción de la vinculación formado normalmente, demostrado en HIGO. 9 (B).

[0009] Particularmente, en una viruta del IC usando un semi-aislamiento o un aislamiento substrato tal como GaAs (arseniuro de galio), INP (fósforo del indio) y el zafiro, la conductividad termal del substrato es bajo, por lo tanto, cuando la viruta no se enlaza normalmente al substrato de cerámica, el circuito fabricado en la viruta se convierte para no funcionar normalmente debido a la temperatura creciente.

[0010] Así, es deseable seleccionar los circuitos integrados que no son normalmente consolidado. En circuitos integrados convencionales, una condición de la vinculación es evaluado solamente midiendo la fuerza requerida para pelar la viruta de el substrato de cerámica o medir la resistencia termal realmente. anterior es una inspección destructiva, por lo tanto, las condiciones que enlazan del los circuitos integrados no se pueden evaluar individualmente por el anterior método. El último es una inspección no destructiva, y se puede utilizar para los circuitos integrados individualmente, sin embargo, lleva un de largo plazo mida la resistencia termal. Así, en el último método, hay no la opción a excepción de ésa algunos de circuitos integrados plurales se evalúa como muestras.

RESUMEN DE LA INVENCIÓN

[0011] Por consiguiente, es un objeto de la actual invención para proporcionar circuito integrado de el cual un estado que presagia puede ser evaluado simplemente. Es otro objeto de la actual invención para proporcionar un método que fabrica de un circuito integrado de el cual un estado que presagia puede ser evaluado simplemente.

[0012] Para solucionar los problemas arriba descritos, en la actual invención, circuito integrado, que abarca una viruta del semiconductor que tiene activo elementos en una cara principal y un substrato que tienen un electrodo en una cañería haga frente y una capa de la vinculación formada aleando el electrodo y la a el miembro conductor mintió entre una cara posterior frente a la cara principal de la viruta del semiconductor y la cara principal del substrato, se fabrica con el empleo del semiconductor salte incluyendo por lo menos la superficie dos los electrodos formaron en la cara principal, y porciones del cableado de la conexión proporcionado llenando por lo menos dos agujeros formó respectivamente debajo de electrodos superficiales para penetrar la viruta del semiconductor del superficie principal a la cara posterior con los materiales conductores.

[0013] Según el circuito integrado fabricado como esto, a la resistencia entre los electrodos superficiales proporcionó en el semiconductor se mide la viruta, por el que la condición de la vinculación entre el semiconductor la viruta y el substrato se pueden evaluar, por lo tanto, cuando toda integró los circuitos se fabrican para ser esta estructura, él se pueden determinar simplemente si inferior o no.

[0014] Por otra parte, cuando es el circuito integrado de la actual invención fabricado, la viruta del semiconductor de la cual tiene una raja el dividir de una superficie la cara posterior en dos se puede ser utilizada, y los electrodos de la superficie proporcionar un área capaz del tacto con por lo menos dos terminales externos puede utilícese.

[0015] Un primer método que fabrica de un circuito integrado es el de circuito integrado incluyendo una viruta del semiconductor que tiene elementos activos en una cara principal y un substrato que tienen un electrodo en una cara principal. el método abarca (a) formando por lo menos dos electrodos superficiales en la cañería cara de la viruta del semiconductor, (b) formando porciones del cableado de la conexión cerca la fabricación agujerea penetrar la viruta del semiconductor de una cara posterior enfrente de a la cara principal a los electrodos superficiales en la superficie principal y llenando los agujeros de los materiales conductores, (c) formando dos enajenados los miembros conductores en la cara posterior del semiconductor saltan, y (d) enlazando el semiconductor salte con el substrato poniendo viruta del semiconductor en el substrato de una forma ese la cara posterior del la viruta del semiconductor está frente a la cara principal del substrato y calefacción de ellos.

[0016] Según este método que fabrica, una resistencia entre los electrodos superficiales proporcionados en la viruta del semiconductor se miden, por el que un circuito integrado que la condición de la vinculación entre la viruta del semiconductor y el substrato se pueden evaluar pueden ser fabricados, por lo tanto, cuando todos los circuitos integrados se fabrican con este método, él puede ser determinado si un circuito integrado fabricado es inferior o no. Además, se forman los dos enajenaron a miembros conductores, por lo tanto, cuando la vinculación no es realizada normalmente por ninguna causa, una resistencia entre la superficie los electrodos llegan a ser más grandes que un caso en eso un uniforme proporcionan el miembro conductor en la cara posterior de la viruta del semiconductor. Así, llega a ser más fácil determinarse si inferior o no. Además, cuando se utiliza este método que fabrica, es deseable que dos materiales (elementos) a ser eutécticos se utilizan como los electrodos y los miembros conductores, sin embargo, es también posible utilizar igual material (metal o aleación bajo del punto de fusión). Además, cada uno de la superficie los electrodos se forman para para ser proporcionados un área capaz de ser entre en contacto con con por lo menos dos terminales externos, por el que llegue a ser posible para medir una resistencia por el método supuesto de cuatro terminales. Así, él llega a ser posible evaluar la condición de la vinculación bajo ninguna influencia de la resistencia del contacto. Es decir, sin embargo una diferencia de condiciones adentro enlazar porciones es leve, un circuito integrado que la diferencia puede ser determinado puede ser fabricado.

[0017] Un segundo método que fabrica de un circuito integrado es el de circuito integrado incluyendo una viruta del semiconductor que tiene elementos activos en una cara principal y un substrato que tienen electrodos en una cara principal. el método abarca (a) formando cuatro electrodos superficiales en la cara principal de la viruta del semiconductor, (b) formando porciones del cableado de la conexión haciendo los agujeros que penetran el semiconductor saltan de una cara posterior frente a cara principal a los electrodos superficiales y a llenar los agujeros de conductor materiales, (c) formando una porción del surco que divide la superficie de la parte posterior cara del semiconductor en dos, (d) proporcionando a miembros conductores encendido la cara posterior de la viruta del semiconductor espera para la porción del surco, (e) formando los electrodos en la cara principal del substrato de una forma esa superficie de la cara principal del substrato se separa en dos piezas que extienden en un perpendicular de la dirección a la porción del surco, y (f) enlazando la viruta del semiconductor y el substrato poniendo viruta del semiconductor en el substrato de una forma ese la cara posterior del la viruta del semiconductor está frente a la cara principal del substrato y calefacción de ellos.

[0018] Según este método que fabrica, llega a ser posible obtener un circuito integrado en el cual condiciona en las varias gamas en la porción de la vinculación de la viruta y del substrato de cerámica puede ser evaluada de la combinación de los cuatro electrodos superficiales proporcionó en viruta del semiconductor. También llega a ser posible medir la resistencia de el circuito integrado por el método de cuatro terminales o un circuito de puente, por lo tanto, la condición de la vinculación (resistencia) se puede detectar bajo no influencia de la resistencia del contacto.

[0019] Un primer método de evaluación de un circuito integrado se prepone utilizar para el circuito integrado incluyendo una viruta del semiconductor que tiene elementos activos en una cara principal y un substrato que tiene electrodos en a cara principal. El circuito integrado es fabricado por (a) un paso de la formación por lo menos dos electrodos superficiales en la cara principal del semiconductor salte, (b) un paso de formar el cableado de la conexión reparte haciendo los agujeros penetrando el semiconductor salte de una cara posterior frente a la cañería cara a los electrodos superficiales y a llenar los agujeros de conductor el material, (c) un paso de formar dos enajenó a miembros conductores en cara posterior de la viruta del semiconductor, y (d) un paso de enlazar la viruta del semiconductor y el substrato poniendo el semiconductor saltan encendido el substrato de una forma que es la cara posterior de la viruta del semiconductor frente a la cara principal del substrato y de formar una vinculación acode con la aleación de los materiales conductores y de los electrodos. Evaluación de una condición que conecta entre la viruta del semiconductor y el substrato es realizado midiendo valores de la resistencia entre la superficie electrodos o entre uno de los electrodos superficiales y la vinculación capa.

[0020] Un valor de la resistencia o similares entre los electrodos superficiales o entre uno de los electrodos superficiales y la aleación se mide la capa, por el que una condición de una capa de la aleación generada aleando, a saber, a la condición que conecta entre la viruta del semiconductor y el substrato es evaluado.

[0021] Además, cuando se realiza este método de evaluación, es deseable de que cada electrodo superficial se forma para ser proveído área capaz de ser contacto con por lo menos dos terminales externos, y la condición que conecta entre la viruta del semiconductor y el substrato es evaluado aplicando un voltaje predeterminado entre la superficie electrodos con un par de los terminales externos y midiendo a caída de voltaje entre los electrodos superficiales o entre uno de la superficie los electrodos y la vinculación acodan con otro par del externo terminales.

[0022] Un segundo método de evaluación de un circuito integrado se prepone utilizar para el circuito integrado incluyendo una viruta del semiconductor que tiene elementos activos en una cara principal y un substrato que tiene electrodos en a cara principal. El circuito integrado es fabricado por (a) un paso de la formación cuatro electrodos superficiales en la cara principal del semiconductor saltan, (b) a el paso de formar porciones del cableado de la conexión haciendo agujerea penetrar la viruta del semiconductor de una cara posterior frente a la cara principal a electrodos superficiales y llenar los agujeros de los materiales conductores, (c) a paso de formar una porción del surco que divide la superficie de la cara posterior de el semiconductor en dos, (d) proporcionando a miembros conductores en la parte posterior la cara de la viruta del semiconductor espera para la porción del surco, (e) formación los electrodos en la cara principal del substrato de una forma que emergen de la cara principal del substrato se separa en dos porciones extender en un perpendicular de la dirección a la porción del surco, y (f) a enlazar la viruta del semiconductor y el substrato poniendo el semiconductor saltan encendido el substrato de una forma que es la cara posterior de la viruta del semiconductor frente a la cara principal del substrato y de formar una vinculación acode con la aleación de los materiales conductores y de los electrodos. Evaluación de una condición que conecta entre la viruta del semiconductor y el substrato es realizado midiendo valores de la resistencia entre la superficie electrodos con entrar en contacto con los terminales externos a la superficie cuatro electrodos de una forma que un circuito de puente está construido.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS

[0023] Otros objetos y ventajas de la actual invención se convertirán evidente durante la conjunción siguiente de la discusión con acompañando los dibujos, en los cuales:

[0024] Figs.as. 1 (A) con 1 (E) es cartas del paso que ilustran típicamente a método que fabrica de un circuito integrado según el primer encarnación de la actual invención;

[0025] Figs.as. 2 (I) con 2 (III) son el ilustrar explicativo de las opiniónes método de evaluación de un circuito integrado fabricado por fabricar método según la primera encarnación;

[0026] Figs.as. 3 (A) con 3 (E) son cartas del paso que ilustran típicamente a método que fabrica de un circuito integrado según el segundo encarnación de la actual invención;

[0027] HIGO. 4 es una primera visión explicativa que ilustra una evaluación método de un circuito integrado fabricado por el método que fabrica según la segunda encarnación;

[0028] HIGO. 5 es una segunda visión explicativa que ilustra una evaluación método de un circuito integrado fabricado por el método que fabrica según la segunda encarnación;

[0029] HIGO. 6 es una tercera visión explicativa que ilustra una evaluación método de un circuito integrado fabricado por el método que fabrica según la segunda encarnación;

[0030] Figs.as. 7 (A) con 7 (E) son cartas del paso que ilustran típicamente a método que fabrica de un circuito integrado según el tercero encarnación de la actual invención;

[0031] HIGO. 8 es una visión explicativa que ilustra un método de evaluación de un circuito integrado fabricado por el método que fabrica según la tercera encarnación;

[0032] Figs.as. 9 (A) y 9 (B) son visiónes explicativas que ilustran a vinculación convencional del dado (vinculación eutéctica); y

[0033] HIGO. 10 es una opinión de la sección para explicar problemas en vinculación convencional del dado.

DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LAS ENCARNACIONES PREFERIDAS

[0034] Las encarnaciones preferidas de la actual invención ahora estarán descrito referente a los dibujos de acompañamiento.

Primera encarnación

[0035] Un método que fabrica de un circuito integrado según la primera encarnación incluye un paso de procesar una viruta y un paso de enlazando la viruta y un substrato de cerámica realmente para evaluar a condición de la vinculación eléctricamente.

[0036] Una explicación concreta será dada de un método que fabrica de circuito integrado según la primera encarnación del presente invención referente a las figs.as. 1 (A) con 1 (E). Según las indicaciones de HIGO. 1 (A), en este método que fabrica, dos electrodos que conectan externos 12 se forman en una superficie de una viruta 11. Además, en esta encarnación, a salte (GaAsIC) en que un circuito electrónico se fabrica en un GaAs el substrato se utiliza como la viruta 11. Los electrodos que conectan externos 12 son formados formando un patrón del resistir en el cual haya ningún resista preestablezca áreas para formar los electrodos que conectan externos 12 en la viruta 11 cerca método de la fotolitografía, llenando después de eso una película del Au (oro) en resista el patrón por el método de la evaporación del vacío, y después quitar resista el patrón (a saber, método del despegue).

[0037] Entonces, preformado resiste el patrón se forma en la cara posterior del se aplica la viruta 11, y una aguafuerte seca, por el que una estructura vía la cual los agujeros 13 se forman debajo de los electrodos que conectan externos respectivos 12 se obtiene, según las indicaciones de HIGO. 1 (B). Después de eso, cada uno vía el agujero 13 es llenado para arriba del material conductor para formar una porción conductora 14 conectado eléctricamente con el electrodo que conecta externo 12 (véase HIGO. 1 (C)). En esta encarnación, vía el agujero 13 se llena para arriba de Al (aluminio) por un método de la galjanoplastia para formar la porción conductora 14.

[0038] Según las indicaciones de HIGO. 1 (D), primeros 15 de película metálica y un segundo metal la película 19 para la vinculación eutéctica se forma respectivamente en la cara posterior de la viruta 11 procesaron como el y la superficie del de cerámica substrato 18. En este caso, cuando los primeros 15 de película metálica se forma en cara posterior de la viruta 11, según las indicaciones del HIGO. 1 (D), una porción donde hay no hay primeros 15 de película metálica (más abajo, llamado una porción 16 de la raja) proporcionado en el centro de la viruta 11 por el método del despegue. La anchura de raja la porción 16 se fija de una forma que aleación eutéctica continua se forman las capas cuando el proceso para formar la aleación eutéctica entre primeros 15 de película metálica y los segundos 15 de película metálica se realiza debajo de a condición conveniente. Además, en esta encarnación, un vacío la película de la evaporación del Sn (lata) y la del Au (oro) se utilizan respectivamente como los primeros 15 de película metálica y la segunda película 19, y la anchura del la porción 16 de la raja es 0.01 milímetros.

[0039] Después de eso, la viruta 11 y el substrato de cerámica 18 están temporal calentado en contacto con los primeros 15 de película metálica y el segundo de película metálica 16, de modo que una estructura que un espacio entre la viruta 11 y el de cerámica se llena el substrato 18 y enlazado con una capa eutéctica 20 de la aleación es obtenido (véase el HIGO. 1 (E)).

[0040] Ahora, la anchura de la porción 16 del légamo se fija cerca de 0.01 milímetros. longitud de la viruta (longitud en un perpendicular de la dirección a extender la dirección de la porción 16 de la raja) es generalmente cerca de 4 milímetros, de modo que un cociente de la porción 16 de la raja que no se forma ningunos primeros 15 de película metálica a la parte posterior la cara de la viruta está alrededor {fracción (1/400)}, a saber, muy pequeño. Esto el grado es que no se da ninguna influencia a una capa de la aleación por la raja porción 16.

[0041] Después, una explicación será dada del método de evaluación de a condición de la vinculación en un circuito integrado fabricado por este fabricar método.

[0042] En este método que fabrica, el de película metálica teniendo la porción de la raja se forma en la cara posterior de la viruta, por lo tanto, cuando es la aleación eutéctica realizado normalmente, según las indicaciones de HIGO. 2 (I), una capa eutéctica de la aleación existe en un área que la porción de la raja se ha formado. Cuando es eutéctica la aleación es realizado bajo condición que es diferente de una condición generalmente, según las indicaciones de HIGO. 2 (II), ninguna capa eutéctica de la aleación existe en un área que la porción de la raja ha existido o se sigue habiendo una parte de la porción de la raja, por el que ocurra un defecto tal como una cavidad 22. Por otra parte, según las indicaciones de HIGO. 2 (III) típicamente, hay un caso que no se forma ninguna capa eutéctica de la aleación en un interfaz 40 entre los primeros 15 de película metálica y el segundo metal película 19. Es decir, cuando la aleación eutéctica se realiza bajo condición cuál es diferente de una condición generalmente, un defecto que previene para ser conductor entre los dos electrodos que conectan externos 12 (más abajo, llamado Z1, Z2) o entre el electrodo que conecta externo 12 y los segundos 19 de película metálica (más abajo, llamado Z3).

[0043] Así, cuando la porción de la vinculación se forma normalmente, según las indicaciones de HIGO. 2 (I) típicamente, una resistencia entre los electrodos que conectan externos Z1, Z2 se convierte en una resistencia (R.sub.1.times.R.sub.2/(R.sub.1+R.sub.2)) que una resistencia R.sub.1 de la capa eutéctica 20 de la aleación en el horizonal dirección y una resistencia R.sub.2 de los segundos 19 de película metálica en la dirección del horizonal está conectada en paralelo, mientras que una resistencia entre los electrodos que conectan externos Z1, Z2 en un estado demostrado adentro HIGO. 2 (II) se convierte en una resistencia esa una resistencia R.sub.1 que sea más grande que la resistencia R.sub.1 y la resistencia R.sub.2 sea conectado en paralelo. Por otra parte, una resistencia entre el externo electrodos que conectan Z1, Z2 en un estado demostrado en HIGO. 2 (III) se convierte en a resistencia esa una resistencia R.sub.1 que es más grande que la resistencia R.sub.1 y una resistencia R.sub.2 que es más grande que la resistencia R.sub.2 están conectados en paralelo.

[0044] Como sobre descrito, un valor de la resistencia entre el externo electrodos que conectan Z1, Z2 en un caso ese la porción de la vinculación (eutéctica la capa 20 de la aleación) no se forma normalmente es más grande que ésa en un caso eso la porción de la vinculación se forma normalmente. Así, puede ser determinado si la vinculación es realizada normalmente o no midiendo valor de la resistencia.

[0045] Semejantemente, cuando la porción de la vinculación se forma normalmente, según las indicaciones de HIGO. 2 (I) típicamente, una resistencia entre conectar externo el electrodo Z1 o Z2 y el segundo Z3 de película metálica se convierte en una resistencia (R.sub.X1+R.sub.X2) que una resistencia RX.sub.1 de la aleación eutéctica capa 20 en la dirección longitudinal y una resistencia R.sub.X2 del 19 en segundo lugar de película metálica en la dirección longitudinal están conectados adentro serie, mientras que una resistencia entre el electrodo que conecta externo Z1 o Z2 y el segundo Z3 de película metálica en un estado demostrado en HIGO. 2 (II) se convierte una resistencia esa una resistencia R.sub.X1 que es más grande que la resistencia R.sub.X1 y la resistencia R.sub.X2 están conectadas en serie. Por otra parte, una resistencia entre el electrodo que conecta externo Z1 o Z2 y el segundo Z3 de película metálica en un estado demostrado en HIGO. 2 (III) se convierte en a resistencia esa una resistencia R.sub.X1 que es más grande que resistencia R.sub.X1 y una resistencia R.sub.X2 que es más grande que la resistencia R.sub.X2 está conectada en serie.

[0046] Es decir, un valor de la resistencia entre conectar externo electrodos Z1 o Z2 y el segundo Z3 de película metálica en el caso que la porción de la vinculación (capa eutéctica 20 de la aleación) no se forma normalmente es más grande que eso en el caso que la porción de la vinculación está formada normalmente. Así, puede ser determinado si la vinculación está realizada normalmente o no midiendo el valor de la resistencia.

Segunda encarnación

[0047] En el método que fabrica explicado en la primera encarnación, cualesquiera el material se puede utilizar para las primeras y segundas películas del metal, sin embargo, cuando la resistencia de la capa eutéctica de la aleación formada como el resultado está muy pequeño, una influencia de una resistencia del contacto entre una punta de prueba para la medida de la resistencia y el electrodo que conecta externo se convierte más grande, por lo tanto, llega a ser difícil determinarse si una vinculación la porción se forma normalmente o no.

[0048] En el método que fabrica de la segunda encarnación, solucionar ésos problemas, según las indicaciones del HIGO. 3 (A) típicamente, el tamaño del externo el electrodo que conecta 12 formado en la viruta 11 se fija de una forma que dos las puntas de prueba para la medida de la resistencia pueden ser contacto. El fabricar procedimientos después que son similares a ésos en la primera encarnación, por lo tanto, se omite la explicación.

[0049] Entonces, cuando se evalúa el circuito integrado, según las indicaciones de las figs.as. 4 con 6, dos puntas de prueba se tocan a cada electrodo que conecta externo 12. Es decir, los electrodos que conectan externos 12 se utilizan respectivamente como dos electrodos (Z1 y Z3, Z2 y Z4), por el que la resistencia (voltaje la gota entre Z3 y Z4) en la porción de la vinculación es medida por método del cuatro-terminal. Se determina la condición de la vinculación basó en resultado medido.

[0050] Es decir, cuando la porción de la vinculación se forma normalmente, según las indicaciones de HIGO. 4 típicamente, una caída de voltaje entre conectar externo los electrodos Z3 y Z4 se basan en una resistencia (R.sub.1.times.R.sub.2/(R.s- ub.1+R.sub.2)) que una resistencia R.sub.1 de la capa eutéctica 20 de la aleación adentro la dirección y una resistencia R.sub.2 del horizonal del segundo de película metálica 19 en la dirección del horizonal están conectados en paralelo, mientras que cuando la porción de la vinculación no se forma normalmente, por ejemplo HIGO demostrado. 5, un voltaje caiga entre los electrodos que conectan externos Z3, Z4 se basa en a resistencia esa una resistencia R.sub.1 que es más grande que la resistencia R.sub.1 y la resistencia R.sub.2 están conectados en paralelo. Por otra parte, según las indicaciones de HIGO. 6, cuando no se forma ninguna capa eutéctica de la aleación, un voltaje la gota entre los electrodos que conectan externos Z4 y Z3 se basa en a resistencia esa una resistencia R.sub.1 que es más grande que la resistencia R.sub.1 y una resistencia R.sub.2 que es más grande que la resistencia R.sub.2 están conectados en paralelo.

[0051] Como sobre descrito, la caída de voltaje entre el externo electrodos que conectan Z3 y Z4 en el caso ese la porción de la vinculación (capa eutéctica 20 de la aleación) no se forma normalmente es diferente de eso en el caso que la porción de la vinculación está formada normalmente. Así, puede ser resuelto si la vinculación es realizada normalmente o no midiendo la caída de voltaje.

[0052] Semejantemente, cuando la porción de la vinculación se forma normalmente, según las indicaciones de HIGO. 4 típicamente, una caída de voltaje entre conectar externo el electrodo Z4 o Z3 y el segundo Z6 de película metálica se basa en una resistencia (R.sub.X1+R.sub.X2) que una resistencia R.sub.X1 de la aleación eutéctica capa 20 en la dirección longitudinal y una resistencia R.sub.X2 del 19 en segundo lugar de película metálica en la dirección longitudinal están conectados adentro serie, mientras que una caída de voltaje entre el electrodo que conecta externo Z3 o Z4 y el segundo Z6 de película metálica en un estado demostrado en HIGO. se basa 5 en una resistencia esa una resistencia R.sub.X1 que es más grande que la resistencia R.sub.X1 y la resistencia R.sub.X2 están conectadas en serie. Por otra parte, una caída de voltaje entre el electrodo que conecta externo Z4 o Z3 y el segundo Z6 de película metálica en un estado demostrado en HIGO. 6 se basa en a resistencia esa una resistencia R.sub.X1 que es más grande que resistencia R.sub.X1 y una resistencia R.sub.X2 que es más grande que la resistencia R.sub.X2 está conectada en serie.

[0053] Es decir, una caída de voltaje entre los electrodos que conectan externos Z4 o Z3 y el segundo Z6 de película metálica en el caso que la vinculación la porción (capa eutéctica 20 de la aleación) no se forma normalmente es más grande que eso en el caso que la porción de la vinculación está formada normalmente. Así, él puede ser determinado si la vinculación está realizada normalmente o no cerca medir la caída de voltaje.

Tercera encarnación

[0054] Después, una explicación concreta será dada de un método que fabrica de un circuito integrado según la tercera encarnación del presente invención referente a HIGO. 7.

[0055] En este método que fabrica, primer, con los mismos procedimientos en la primera encarnación, la viruta 11 se procesa de una forma que cuatro externos se proporcionan los electrodos que conectan 12 y las porciones conductoras 14 (véase HIGO. 7 (A)). Entonces, preformado resiste el patrón se forma en la cara posterior de la viruta 11, y de la aguafuerte seca se realiza, por el que, según las indicaciones de HIGO. 7 (B), un primer surco 20 es en el centro porción formada de la parte posterior cara de la viruta 11. En esta encarnación, el primer surco 20 se forma a sea 0.01 milímetros en anchura y 0.05 milímetros de profundizado.

[0056] Entonces, según las indicaciones de HIGO. 7 (C), primeros 15 de película metálica para el eutéctico la vinculación se forma en la cara posterior de la viruta 11 como la cual se procesa esto. Incidentemente, ningunos primeros 15 de película metálica existe en el surco 20.

[0057] Además, preformado resiste el patrón se forma en la superficie del se realiza el substrato de cerámica 18, y la aguafuerte seca, por el que, como se muestra en HIGO. 7 (C), un segundo perpendicular del surco 21 al primer surco 20 es en el centro porción formada del substrato de cerámica 18. Entonces, un segundo 19 de película metálica se forma en el substrato de cerámica 18 que el segundo el surco 21 se forma para no llenar el segundo surco 21. Además, es deseable que el segundo surco 21 está formado para no bloquear la aleación eutéctica, por lo tanto, en esta encarnación, el segundo surco 21 se forma para ser 0.01 milímetros en anchura y 0.05 milímetros de profundizado. El cociente del área de la anchura del surco 21 a la cara posterior de la viruta está alrededor {fracción (1/400)} semejantemente a la porción del légamo en la primera encarnación.

[0058] Entonces, se calientan la viruta 11 y el substrato de cerámica 18 temporalmente en un estado que los primeros 15 de película metálica y el segundo metal la película 19 es contacto, por el que una estructura (véase el HIGO. 7 (D)) qué un espacio entre la viruta 11 y el substrato de cerámica 18 se llena y se enlaza con la aleación eutéctica se obtiene la capa 20.

[0059] Después, una explicación será dada de un método de evaluación de a condición de la vinculación en un circuito integrado fabricado por este fabricar método.

[0060] Como claramente de los pasos que fabrican descritos antes, cuando la aleación eutéctica se forma normalmente, acoda de qué fronteras son las primeras surco 20 y el segundo surco 20 y que tiene la misma forma y la misma característica se forma debajo del externo respectivo los electrodos que conectaban 12 (porciones conductoras 14) proporcionaron en circuito integrado. Así, según las indicaciones de HIGO. 8, un circuito de puente es estructurado usando los cuatro electrodos que conectan externos 12 del circuito integrado fabricado por este método que fabrica, y cuando a el voltaje se aplica a los electrodos que conectan externos Z1 y Z4, no la corriente funciona entre los electrodos que conectan externos Z2 y Z3. Eso son, cuando la aleación eutéctica se forma normalmente, los valores de la resistencia de las resistencias R1-R4 entre conectar externo respectivo los electrodos llegan a ser planos, por lo tanto, ningunos funcionamientos de la corriente entre el externo electrodos que conectan Z2 y Z3. En el contrario, cuando la aleación eutéctica no se forma normalmente, los valores de la resistencia de las resistencias R1-R4 entre los electrodos que conectan externos respectivos no es plano, por lo tanto, una diferencia potencial genera entre el externo electrodos que conectan Z2 y Z3, de modo que el corresponder actual a el estado de la porción de la vinculación funciona entre conectar externo electrodos Z2 y Z3. Así, la condición de la vinculación se puede evaluar cerca el medir como esto.

[0061] Además, en cada encarnación descrita antes, el GaAsIC es utilizado, sin embargo, el método que fabrica de la actual invención puede ser también aplicado a un IC en un substrato del INP, un silicio en IC del zafiro y así sucesivamente. En las primeras y segundas encarnaciones, se proporciona la porción 16 de la raja mientras que se forma los primeros 15 de película metálica. Aunque una diferencia del los valores de la resistencia entre un caso normal y un caso anormal se convierten pequeño comparado con ése la porción 16 de la raja se proporciona, la resistencia valore entre los electrodos que conectan externos 12 también varía adentro acuerdo con el estado de la porción de la vinculación aunque ninguna porción de la raja se proporciona 16. Así, aunque el método que fabrica explicado en cada uno la encarnación se realiza sin el abastecimiento de la porción 16 de la raja, circuito integrado que una condición de la vinculación puede ser poder simplemente evaluada también se obtiene. Por otra parte, en cada encarnación, se da la explicación en cuanto a el método eutéctico de la aleación, sin embargo, cada encarnación puede ser aplicada a la vinculación de la soldadura.

[0062] Como sobre explicado detalladamente, un circuito integrado puede estar determinado eléctricamente sobre una condición de la vinculación entre una viruta y una a el substrato de cerámica, por lo tanto, todos los circuitos integrados se fabrica adentro el acuerdo con preestableció la invención, por el que pueda ser determinado simplemente si todos son inferiores o no.

[0063] Según el método que fabrica de la actual invención, circuito integrado que una condición de la vinculación (una condición de un conductor obtienen al miembro) entre una viruta y una poder de cerámica del substrato evaluadas, por lo tanto, puede ser determinado simplemente si fabricado integrado el circuito es inferior o no. Particularmente, cuando es una porción rajar-formada formado, una diferencia entre las resistencias en la porción de la vinculación de el circuito integrado fabricado en un caso que la vinculación está realizada no normalmente por cualquier causa y en un caso que la vinculación está realizada normalmente se puede hacer la cerveza dorada, por lo tanto, puede ser determinado más fácilmente si inferior o no.

[0064] Esta invención que es descrita así, será obvio que iguales puede ser variado de varias maneras. Tales variaciones no deben ser miradas como salida del alcohol y del alcance de la invención, y todos los tal las modificaciones serían obvias para la persona calificada prevista para ser incluido dentro del alcance de las demandas siguientes.

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