REFERENCIA RECÍPROCA AL USO RELACIONADO

[0001] Este uso es una continuación de internacional copendiente Número de solicitud. PCT/DE99/02412, archivado el 2 de agosto de 1999, que señaló los Estados Unidos.

FONDO DE LA INVENCIÓN

[0002] 1. Campo de la invención

[0003] La invención se relaciona con un método para la fabricación integrada circuitos y una oblea de semiconductor que se pueden utilizar en el método según la invención.

[0004] En el arte anterior, los métodos de la fabricación para la fabricación integraron los circuitos, particularmente paquetes del viruta-tamaño de las obleas de semiconductor están sabido en cuál, en un primer paso, circuito estructura para una pluralidad los circuitos integrados son manufacturados en un lado activo de un semiconductor oblea. Entonces, los circuitos integrados se dividen para arriba en virutas supuestas aserrando la oblea de semiconductor en pedazos individuales en el borde áreas de los circuitos integrados. El contacto se hace con las virutas en cada uno caso en las interposiciones supuestas que pueden estar de un rígido o un flexible configuración. Es también concebible hacer el contacto con una viruta en a marco supuesto del plomo. El contacto se puede hacer con diverso entrar en contacto con métodos, por ejemplo con un método que entra en contacto con del alambre, con una mover de un tirón-viruta entrando en contacto con método o con un método que entra en contacto con de la LENGÜETA.

RESUMEN DE LA INVENCIÓN

[0005] Es por consiguiente un objeto de la invención para proporcionar un método para los circuitos integrados de la fabricación y una oblea de semiconductor que tiene circuitos integrados de que supera las desventajas antedichas los métodos del arte anterior de este tipo general, en los cuales un método simplificado para la fabricación se describen los circuitos integrados.

[0006] Los objetos precedentes y otros en la visión se proporciona, adentro acuerdo con la invención, un método de fabricación para formar circuitos integrados. El método incluye los pasos de:

[0007] proveyendo de una oblea de semiconductor que tiene un lado activo el circuito estructuras para formar por lo menos dos circuitos integrados;

[0008] proporcionando por lo menos una capa intermedia eléctricamente aislador;

[0009] aplicando por lo menos una eléctricamente hoja conductora del conductor a capa intermedia eléctricamente aislador;

[0010] formando por lo menos una por-abertura en eléctricamente el aislamiento la capa intermedia, por lo menos la una por-abertura extiende de superficie inferior de la hoja eléctricamente conductora del conductor a un superficie inferior de la capa intermedia eléctricamente aislador;

[0011] aplicando la menos capa intermedia un eléctricamente aislador tener la hoja eléctricamente conductora del conductor al lado activo de la oblea de semiconductor;

[0012] formando pistas del conductor del conductor eléctricamente conductor hoja; y

[0013] dividir la oblea de semiconductor en individuo integró circuitos.

[0014] El método según la invención asegura una manera simple a circuitos integrados de la fabricación. Un dieléctrico orgánico relativamente grueso la capa primero se proporciona para la extensión de compensación. El final la estructura del conductor con secciones representativas grandes del conductor se produce solamente en el nivel de la oblea de la oblea de semiconductor. El principio de base está a lamine una hoja de cobre sobre la oblea de semiconductor, forme un contacto entre la hoja de cobre y los terminales de la viruta o los contactos que conectan de los circuitos integrados y solamente entonces del instrumento rewiring con tecnología photolithographic y de la aguafuerte.

[0015] La cubierta de la resina para enmascarar de la parada de la soldadura de los terminales entonces puede proporciónese. Finalmente, el uso de las bolas de la soldadura y el corte para arriba de la oblea de semiconductor en los paquetes individuales puede ser realizado, por ejemplo aserrando. Generalmente, para dar la viruta del semiconductor una superficie particularmente llana es posible acompañar el uso del laminado de cobre de la hoja con una capa correspondiente conveniente en dorso pasivo de la viruta.

[0016] En un desarrollo de la invención, el paso de la aplicación capa intermedia por lo menos a una eléctricamente hoja conductora del conductor se realiza antes del paso de aplicar la capa intermedia a lado activo de la oblea de semiconductor. Esta encarnación del método según la invención sirve como base para las variantes en las cuales la capa intermedia es totalmente manufacturada junto con el conductor hoja antes del uso a la oblea de semiconductor. En estas encarnaciones del método según la invención es particularmente ventajoso esa fabricación camina que se realizan en la capa intermedia y en el conductor la hoja no afecta los circuitos integrados en oblea de semiconductor.

[0017] Antes del paso de aplicar la capa intermedia al activo lado de la oblea de semiconductor es posible proporcionar el paso de fabricación por lo menos de una por-abertura en la capa intermedia, por-abertura que es incorporada de una manera tal que extienda de superficie inferior de la hoja del conductor al superficie inferior del intermedio capa. Entonces, el contacto se puede hacer con la hoja del conductor con por-abertura. La por-abertura se hace preferiblemente con un laser método, que permite a por-aberturas exactas ser alcanzado.

[0018] Para hacer el contacto con la hoja del conductor con capa intermedia es posible introducir un llenador conductor y material que conecta tal como un material de la soldadura en la por-abertura, específicamente particularmente por un método del electrodeposition. Esto se asegura que la oblea de semiconductor según la invención es manufacturada de una manera particularmente rentable y confiable.

[0019] El paso de calentar el material de la soldadura en la por-abertura puede proporciónese para hacer el contacto entre la hoja del conductor y puntos de contacto en los circuitos integrados en la oblea de semiconductor, y puede ser proporcionado específicamente después del uso del intermedio acode al lado activo de la oblea de semiconductor. Cuando la soldadura el material en la por-abertura se calienta, el material de la soldadura se derrite y formas que una conexión conductora con los puntos de contacto proporcionó en oblea de semiconductor. Tal calefacción se realiza preferiblemente en los puntos encendido la hoja del conductor en la vecindad de la por-abertura de modo que efecto del calor en la oblea de semiconductor según la invención es particularmente bajo.

[0020] En una modificación de las encarnaciones del método según la invención dada sobre ella es también posible introducir un conductor pegamento como el llenador conductor y material que conecta en por-abertura, específicamente particularmente por un método de la lámina de doctor. disposición del pegamento conductor en los favores de las por-aberturas serie en grande de la fabricación de la oblea de semiconductor según la invención. Aquí, el paso de curar el pegamento conductor en las por-aberturas se pueden proporcionar después del paso de la aplicación la capa intermedia al lado activo de la oblea de semiconductor, y puede proporciónese específicamente de una manera tal que las formas adhesivas conductoras una conexión conductora con la hoja del conductor y con el contacto puntos proporcionados en la oblea de semiconductor. Un particularmente favorable conexión entre la oblea de semiconductor, la capa intermedia y se obtiene la hoja del conductor si el paso de aplicar el intermedio la capa al lado activo de la oblea de semiconductor se realiza con a método de la laminación, particularmente con el uso de la presión y calor.

[0021] Con los objetos precedentes y otros en la visión hay más futuro proporcionado, de acuerdo con la invención, un segundo método para circuitos integrados de la fabricación. El método incluye los pasos de:

[0022] proveyendo de una oblea de semiconductor que tiene un lado activo el circuito estructuras por lo menos dos circuitos integrados;

[0023] aplicando por lo menos una capa intermedia eléctricamente aislador a el lado activo de la oblea de semiconductor;

[0024] la aplicación de un material de la soldadura a los puntos de contacto proporcionó en oblea de semiconductor por un método del electrodeposition o un electroless deposición;

[0025] aplicando por lo menos una eléctricamente hoja conductora del conductor a capa intermedia eléctricamente aislador, un uso del hoja eléctricamente conductora del conductor eléctricamente al aislamiento capa intermedia que es proporcionada después de un uso del capa intermedia eléctricamente aislador al lado activo del oblea de semiconductor;

[0026] formando pistas del conductor del conductor eléctricamente conductor hoja; y

[0027] dividir la oblea de semiconductor en individuo integró circuitos.

[0028] Un grupo fundamental diverso de los métodos de fabricación para las obleas de semiconductor según la invención proporcionan que el paso de aplicando la hoja del conductor a la capa intermedia no se realiza antes pero algo después del paso de aplicar la capa intermedia a el lado activo de la oblea de semiconductor. En estas encarnaciones del método según la invención es particularmente ventajoso que la dirección de la hoja del conductor junto con la capa intermedia se simplifica porque es juntos forman uno de capa delgada y se mueve junto.

[0029] En este contexto hay particularmente la disposición que la capa intermedia es manufacturada en el lado activo del oblea de semiconductor usando un método de impresión. Hacer esto, es posible, por ejemplo, aplicar el pegamento al lado activo del semiconductor oblea.

[0030] Si un material de la soldadura se ha aplicado a los puntos de contacto proporcionado en la oblea de semiconductor, es derretido calentando después de uso de la hoja del conductor a la capa intermedia, con resulte que una conexión conductora está producida entre las áreas del la hoja del conductor y los puntos de contacto proporcionaron en el semiconductor oblea.

[0031] Los métodos explicados arriba dan lugar a la oblea de semiconductor según la invención en la cual la capa intermedia aislador está formada, y la hoja conductora del conductor se forma encima de ella. Posteriormente, las pistas del conductor se forman en la hoja del conductor, específicamente particularmente con un método de la aguafuerte grabando al agua fuerte áreas ausentes de la hoja del conductor. Para hacer esto, las técnicas convencionales pueden ser utilizadas, él que es posible particularmente proporcionar el paso de la capa la hoja del conductor con la aguafuerte resiste y formando usar de las pistas del conductor pasos photolithographic.

[0032] Finalmente, el paso de realizar enmascarar de la parada de la soldadura de la tierra de la bola áreas y el paso de producir bolas de la soldadura en los puntos predefinidos en se realiza la hoja del conductor, de la cual simplifica la formación más última los contactos con los circuitos integrados proporcionaron en la oblea de semiconductor según la invención.

[0033] La oblea de semiconductor según la invención se caracteriza por un lado activo con las estructuras del circuito, por lo menos una eléctricamente capa intermedia aislador y por lo menos una eléctricamente conductoras hoja del conductor con las pistas del conductor que son proporcionadas en el lado activo. A el llenador conductor y el material que conecta se proporcionan aquí entre puntos de contacto en la oblea de semiconductor y las áreas del conductor hoja.

[0034] La oblea de semiconductor acabada según la invención se asierra en los circuitos integrados individuales. Esto se realiza con de alta velocidad discos del corte que se equipan de las partículas del diamante. El diamante las partículas son muy finas y se afianzan con abrazadera en un mandril de una manera tal que resaltan por una cantidad pequeña. Para hacer esto, una placa se mueve sobre oblea de semiconductor con control numérico y registrar exacto en espaciamiento de la rejilla de los circuitos integrados de modo que los circuitos integrados se separan. La oblea de semiconductor se enlaza previamente sobre una hoja de modo que los circuitos integrados permanezcan en su orden durante aserrar proceso. Esta hoja también se asierra mientras que se asierra la oblea de semiconductor.

[0035] Otras características que se consideran como característica para la invención se dispone en las demandas añadidas.

[0036] Aunque la invención se ilustra y se describe adjunto como incorporado a un método para fabricar los circuitos integrados y a la oblea de semiconductor que tiene circuitos integrados, está sin embargo no se prepuso ser limitado a los detalles demostrados, desde varias modificaciones y los cambios estructurales pueden ser realizados en esto sin salir de alcohol de la invención y dentro del alcance y de la gama de equivalentes de las demandas.

[0037] La construcción y el método de operación de la invención, sin embargo, junto con objetos y ventajas adicionales de eso sea el mejor entendido de la descripción siguiente de encarnaciones específicas cuando leído con respecto a los dibujos de acompañamiento.

BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS

[0038] Figs.as. 1-7 son las vistas diagramáticas, seccionales de los pasos de la fabricación para producir una primera oblea de semiconductor según la invención;

[0039] Figs.as. 8-13 son las vistas seccionales de los pasos de la fabricación para producir una segunda oblea de semiconductor; y

[0040] Figs.as. 14-18 son las vistas seccionales de los pasos de la fabricación para producir una tercera oblea de semiconductor.

DESCRIPCIÓN DE LAS ENCARNACIONES PREFERIDAS

[0041] En todas las figuras del dibujo, de las secundario-características y de las piezas integrales eso corresponde a un otro oso el mismo símbolo de la referencia en cada uno caso. Refiriéndose ahora a las figuras del dibujo detalladamente y primero, particularmente, al HIGO. 1 de eso, allí se demuestra en capas seccionadas transversalmente de una primera oblea de semiconductor 1 según la invención.

[0042] HIGO. 1 demuestra un tablero 2 del circuito impreso, que se divide en capa intermedia eléctricamente aislador 3 y en eléctricamente cobre conductor que cubre 4 que se aplica sobre una superficie del capa intermedia eléctrica 3.

[0043] HIGO. 1 demuestra el tablero 2 en su estado básico, de que del circuito impreso es decir un revestido material de la etapa de B con cobre o un material del portador cubierto con un pegamento.

[0044] HIGO. 2 ilustra el primer paso de la fabricación del oblea de semiconductor 1 según la invención. En este paso, las por-aberturas 5 se hacen en la capa intermedia 3 de impreso el tablero de circuito 2 y extiende del cobre que cubre 4 a un superficie inferior de la capa intermedia 3. Un método del laser se utiliza preferiblemente para esto.

[0045] HIGO. 3 ilustra otro paso de la fabricación para la fabricación la oblea de semiconductor 1. En este paso, un material 6 de la soldadura en la forma de la lata electro-se deposita en las por-aberturas 5, la soldadura material 6 que está presente en el superficie inferior del cobre que cubre 4.

[0046] HIGO. 4 ilustra otro paso de la fabricación para la fabricación la oblea de semiconductor 1. Aquí, el tablero 2 del circuito impreso en HIGO. 3 es aplicado a una oblea de semiconductor 7 que tiene circuitos integrados 30 en su lado superior. La conexión del tablero 2 del circuito impreso a la oblea de semiconductor 7 es fabricada por un proceso de la laminación. el tablero 2 del circuito impreso se lamina aquí sobre la oblea de semiconductor 7 de una manera tal que las por-aberturas 5 vengan reclinarse exacto encima Ni/Au topa 31 que son los puntos de contacto 31 en los circuitos integrados 30 encendido la oblea de semiconductor 7.

[0047] HIGO. 5 ilustra otro paso de la fabricación durante fabricación de la oblea de semiconductor 1 según la invención. Por la calefacción señala en un lado superior del tablero 2 del circuito impreso en áreas alrededor de las por-aberturas 5, se derrite el material 6 de la soldadura usando a rayo laser 8 de modo que forme una conexión íntima con el mojable terminales (no ilustrados en esta visión), por ejemplo los topetones de Ni/Au y con áreas correspondientes en el cobre que cubre 4, y formas conexión eléctricamente conductora entre el cobre que cubre 4 y áreas de contacto en los circuitos integrados 30 en la oblea de semiconductor 7.

[0048] HIGO. 6 demostraciones otro paso durante la fabricación del oblea de semiconductor 1 según la invención. En este paso, conductor sigue 9, que permiten que el contacto sea hecho según lo deseado con las por-aberturas 5, se forman en el cobre que cubre 4 a que usa técnica photolithographic y una técnica de la aguafuerte.

[0049] HIGO. 7 ilustra otro paso de la fabricación del oblea de semiconductor 1 según la invención. En este paso, las pistas 9 del conductor se proporcionan enmascarar de la parada de la soldadura (no demostrado adentro esta visión), en la cual las bolas supuestas 10 se forman en el conductor pistas 9. En un paso de la fabricación (no ilustrado aquí más detalladamente), la oblea de semiconductor 1 se asierra posteriormente en individuo supuesto virutas.

[0050] Figs.as. 8-13 ilustre la fabricación de un segundo semiconductor oblea 11 según la invención. La fabricación del segundo la oblea de semiconductor 11 corresponde esencialmente a la fabricación del primera oblea de semiconductor 1. Por esta razón, las piezas idénticas están proporcionado los mismos números de referencia.

[0051] En contraste con la primera oblea de semiconductor 1 en las figs.as. 1-7, en segunda oblea de semiconductor 11 en el paso de la fabricación según HIGO. 10, un pegamento conductor 12 se introduce en las por-aberturas 5 cerca un método de la lámina de doctor. Durante la laminación del tablero del circuito impreso 2 sobre la oblea de semiconductor 7, el pegamento conductor 12 introducido en las por-aberturas 5 se cura simultáneamente.

[0052] Todos los otros pasos de la fabricación para fabricar la oblea de semiconductor 11 corresponde esencialmente a los pasos de la fabricación para la oblea de semiconductor 1.

[0053] Figs.as. 14-18 ilustre la fabricación de un tercer semiconductor oblea 20 según la invención. visible en esta visión) se forman. Las áreas de contacto se proporcionan capas de Ni/Au (no visible en esto visión), en la cual se aplica un material 24 de la soldadura.

[0054] En el paso de la fabricación ilustrado en HIGO. 15, una capa de cobre 25 se aplica a una superficie superior de la capa intermedia 22 y a superficie del material 24 de la soldadura.

[0055] Por-aberturas virtuales que se llenan del material de la soldadura 24 es hecho en áreas de la ensambladura a la capa intermedia 22 por la soldadura material 24.

[0056] En el paso de la fabricación ilustrado en HIGO. 16, la soldadura el material 24 es derretido calentando puntos usando los rayos laser 26 de modo que a la conexión conductora se produce entre el cobre que cubre 25 y áreas de contacto (no visibles en esta visión) de los circuitos integrados proporcionado en la oblea de semiconductor 21.

[0057] En los pasos de la fabricación ilustrados en las figs.as. 17 y 18, las pistas 9 del conductor y las bolas 10 se forman en el tercer semiconductor oblea 20, la tercera oblea de semiconductor 20 que corresponde al primera oblea de semiconductor 1 según la invención y al segundo oblea de semiconductor 20 según la invención en las figs.as. 1-13. Para esto la razón, las piezas idénticas se proporciona los mismos números de referencia.

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