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| Demanda (s): | Se exige: 1. Un proceso para tratar una capa dieléctrica en un substrato que abarca (a) calentando una superficie de la capa y de exponer dieléctricos la capa dieléctrica a la irradiación del haz electrónico bajo vacío condiciona, por un suficientes tiempo, temperatura, energía del haz electrónico y electrón emita la dosis para quitar substancialmente toda la humedad y/o contaminantes de la superficie de la capa dieléctrica; y (b) vapor químico que deposita a material químico del depósito del vapor sobre la superficie de la capa dieléctrica mientras que mantener el vacío dicho condiciona. 2. El proceso de la demanda 1 en donde el material químico del depósito del vapor abarca un metal, un óxido, un nitruro o un oxynitride. |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓN1. 1. Campo de la invención2. La actual invención se relaciona con las películas dieléctricas curadas y con a proceso para el tratamiento de la superficie de tales películas para quitar la humedad y otros contaminantes therefrom. Tal tratamiento es hecho por el haz electrónico exposición de la superficie dieléctrica para prepararla para a deposición de vapor químico subsecuente del óxido, del nitruro o del oxynitride capas. Estas películas son útiles en la fabricación de circuitos integrados.3. 2. Descripción del arte relacionado4. El campo de la tecnología de semiconductor requiere continuamente formación de las virutas del circuito integrado que tienen más y circuitos más rápidos sobre eso. Tal integración de la escala del ultralarge ha dado lugar al continuado contracción de los tamaños de la característica con el resultado que una gran cantidad de dispositivos esté disponible en un monopastilla. Con un área superficial de la viruta limitada, la densidad de la interconexión se amplía típicamente sobre el substrato de la viruta en a el arreglo de niveles múltiples y por lo tanto los dispositivos tiene que estar interconectado a través de estos niveles múltiples.5. Interconecta debe ser aislado eléctricamente de uno a excepto donde diseñado hacer el contacto eléctrico. Aislamiento generalmente eléctrico requiere las películas dieléctricas que depositan sobre una superficie. Se sabe en arte que una variedad de resinas es útil en los campos del semiconductor a proporcione un dieléctrico que cubre a las obleas de silicio y otro microelectrónico dispositivos. Tales capas protegen la superficie de substratos y forman capas dieléctricas entre los conductores eléctricos en los circuitos integrados. Los dispositivos de semiconductor tienen órdenes múltiples de modelar-interconectan niveles que sirven para juntar eléctricamente elementos de circuito individuales así for |
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| EE.UU. Aplicación:
| 20010000415 |