| Patente EE.UU. Documento(s): | |
| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
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| Demanda (s): | Qué demando mientras que es mi invención: 1. Un dispositivo de estado sólido que sigue habiendo resistente a la degradación causó generalmente por la exposición a un ambiente hostil de la radiación que abarca: un dispositivo del efecto de campo que electrodos de puerta abarcan los materiales que función del trabajo puede ser cambiada; y |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓNEsta invención está en el campo de los dispositivos de semiconductor insensibles a la radiación hostil y se relaciona más específicamente con los dispositivos del efecto de campo que electrodos de puerta consisten en los materiales que función del trabajo puede ser cambiada.El dispositivo del MOSFET (metal-óxido-semiconductor-campo-efecto-transistor) es un nombre genérico para una amplia clase de dispositivos de estado sólido tales como PMOS, NMOS y Cmos. La operación de MOSFETs y de dispositivos similares tales como dependsupon aislado de los transistores de la puerta la creación de una capa de la carga de la inversión entre los electrodos de la “fuente” y del “dren” por el uso de un voltaje al electrodo de la “puerta”. Sobre el uso de este voltaje, la conducción entre la fuente y el dren comienza. Este voltaje se llama voltaje del thethreshold y es dado teóricamente por la ecuación:Donde .phi. es la función del trabajo del electrodo del metal, .sigma. está la carga total en el interfaz del óxido-semiconductor, .epsilon. es la constante dieléctrica del óxido, d es el grueso del óxido, y F un término que sea relativamente constante. Si los portadores del theconduction entre la fuente y el dren son electrones (agujeros), el MOSFET se llama un dispositivo del N-canal (P-canal). Para un N-canal y un dispositivo del P-canal los voltajes del umbral, concerniente a uno a, son positivos y negativos, respectivamente. Sin embargo, si de alguna manera, la carga positiva del interfaz, .sigma., era entonces agregado V.sub.T disminuiría para los dispositivos de la n y del P-MOS. Para el anterior el dispositivo sería un “excitamiento más fácil”, mientras que para el último el contrario sería verdad. El canoccur de la situación donde hay bastantes .sigma. para hacer que un dispositivo del N-canal se gira en V.sub.T = O. Esto es, de hecho, qué sucede a estos dispositivos en un ambiente hostil de la radiación. La radiación hace plasmons ser excitada |
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| Patente de EE.UU.:
| 4042946 |