| Resumen: | Un aparato simplemente estructurado, y altamente confiable del semiconductor que tiene una memoria grande. El aparato tiene una pluralidad de células de memoria en un substrato del semiconductor, cada uno incluyendo un condensador que tiene primero y los segundos electrodos, y un dispositivo de la conmutación que tiene un terminal del control conectado con una línea correspondiente de la palabra entre una pluralidad de líneas de la palabra, y un canal actual conectado entre el primer electrodo y una línea correspondiente del pedacito entre una pluralidad de líneas del pedacito. Cuando el aparato del semiconductor está en un primer modo, APAGADO un potencial de las líneas de la palabra se fija para ser un primer potencial, cuando el aparato del semiconductor está en un segundo modo, APAGADO un potencial de las líneas de la palabra se fija para ser un segundo potencial, y un canal actual del dispositivo de la conmutación se fija en una vertical de la dirección al substrato del semiconductor. |
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| Demanda (s): | Se exige: 1. Un aparato del semiconductor que abarca en un substrato del semiconductor: a pluralidad de líneas de la palabra; una pluralidad de líneas del pedacito; y una pluralidad de células de memoria, cada uno incluyendo un condensador que tiene primero y en segundo lugar los electrodos, y un dispositivo de la conmutación que tenía un terminal del control conectaron con una línea correspondiente de la palabra entre la pluralidad de líneas de la palabra, y a el canal actual conectó entre el primer electrodo y corresponder la línea del pedacito entre la pluralidad de pedacito alinea, en donde cuando el semiconductor el aparato está en un primer modo, APAGADO un potencial de las líneas de la palabra se fija para ser un primer potencial, cuando el aparato del semiconductor es en un segundo el modo, APAGADO un potencial de las líneas de la palabra se fija para ser un segundo potencial, y el canal actual del dispositivo de la conmutación se fija en una dirección vertical al substrato del semiconductor. 2. Un aparato del semiconductor que abarca en un substrato del semiconductor: a pluralidad de líneas de la palabra; una pluralidad de líneas del pedacito; y una pluralidad de células de memoria, cada uno incluyendo un condensador que tiene primero y en segundo lugar los electrodos, y un dispositivo de la conmutación que tenía un terminal del control conectaron con una línea correspondiente de la palabra entre la pluralidad de líneas de la palabra, y a el canal actual conectó entre el primer electrodo y corresponder la línea del pedacito entre la pluralidad de pedacito alinea, en donde cuando el semiconductor el aparato está en un primer modo, APAGADO un potencial de las líneas de la palabra se fija para ser un primer potencial, cuando el aparato del semiconductor es en un segundo el modo, APAGADO un potencial de las líneas de la palabra se fija para ser un segundo potencial, y no hay canales actuales de la salida presentes entre el dispositivo de la conmutación y el substrato del semiconductor. |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓN[0001] La actual invención se relaciona con un aparato del semiconductor, y más particularmente, se relaciona con una tecnología usada con eficacia para a aparato del semiconductor equipado de un semiconductor altamente confiable circuito de memoria de una memoria grande.[0002] Con respecto a una memoria de semiconductor, hay principalmente un al azar tenga acceso a la memoria (ESPOLÓN), y a una memoria sólo para leer (ROM). Entre otros, a el ESPOLÓN dinámico (COPITA) es el más de uso frecuente como memoria central de una computadora. A la célula de memoria para el almacenaje incluye un condensador, y un transistor para almacenando una carga en esto, y leyendo la carga therefrom. Esta memoria es conveniente para un sistema en grande, porque se observa como ESPOLÓN cerca un número mínimo de componentes. Así, tales memorias han sido producido en masa en los costos relativamente bajos.[0003] En la COPITA convencional, una carga de la información almacenada en el condensador es perdido por una corriente de la ensambladura del pn (salida) presente en célula de memoria. Por consiguiente, antes de la pérdida, la célula de memoria está cíclico restaurado (reproduciendo y escribiendo operaciones) al asimiento almacenado información. Este ciclo se llama un período de restauración, que está actualmente ms alrededor 100. Este período debe ser hecho tan más larga que una memoria es aumentó más. Es decir, la corriente de la salida debe ser suprimida, que ha llegado a ser cada vez más difícil con el microfabrication del dispositivo. Como a tecnología para omitir la operación de restauración, los inventores presentados una memoria de PLED en los E.E.U.U. uso de patente Ser. No. 09/806.582 archivó encendido Abril. 2, 2001.RESUMEN DE LA INVENCIÓN[0004] Un transistor de PLED tiene una estructura vertical, donde los electrodos de puerta se disponen en ambos lados de las capas lamin |
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| EE.UU. Aplicación:
| 20020114186 |