| Título:
| Circuito integrado del semiconductor y sistema de proceso de datos | | | US20010000023 | | |
March 15, 2001 |
| Resumen: | Un control de una memoria de destello incluye el control para proveer un voltaje pulso-formado a cada uno de células de memoria permanente hasta que un voltaje del umbral de la célula de memoria permanente que tiene un primer voltaje del umbral se cambia a un segundo voltaje del umbral. El control implica un primer escribe el modo (grueso escriba) en el cual la cantidad de cambio en el voltaje de cada célula de memoria permanente, que del umbral se varía cada vez el voltaje pulso-formado se aplica, es relativamente colmo rendido, y una segunda escribe el modo (high-accuracy escriba) en el cual la cantidad de cambio en voltaje del umbral de eso es relativamente punto bajo rendido. Con respecto al modo high-accuracy, el número de los pulsos requeridos para cambiar el voltaje del umbral de cada célula de memoria es más pequeño que ése en el grueso escribe modo. Por lo tanto, el número de verifica que las operaciones en ese entonces que el gruesos escriben a modo se utilizan, son pequeños y por lo tanto el entero escriban la operación se puedan apresurar para arriba. |
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Documento Original:
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Semiconductor integrated circuit and data processing system
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| Inventor(s):
| | Kawahara;
Takayuki
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Sato;
Hiroshi
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Nozoe;
Atsushi
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Yoshida;
Keiichi
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Noda;
Satoshi
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Kubono;
Shoji
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Kotani;
Hiroaki
(Tokyo,
JP,
US)
, | Información de contacto y correo electrónico | | Kimura;
Katsutaka
(Tokyo,
JP,
US)
| Información de contacto y correo electrónico |
| | Correspondencia:
| ANTONELLI TERRY STOUT AND KRAUS
(ARLINGTON,
VA,
)
| | Código de Serie / n º.:
| 09/725011
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| Clase actual:
| 365/185.24
| | En la clase de publicación:
| 365/185.24
| | Intern'l Clase: |
G11C 016/04
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| | Demanda (s): | Demandamos: 1. El abarcar permanente del dispositivo de memoria de semiconductor: una pluralidad de células de memoria que tiene un voltaje del umbral dentro de uno de a pluralidad de áreas del voltaje del umbral según datos; en donde está dicho el dispositivo de memoria permanente de semiconductor funciona en un primer modo y a segundo modo, y en donde una anchura de acordar del área del voltaje del umbral a los primeros datos cuando el dispositivo de memoria dicho de semiconductor funciona en dicho el primer modo es diferente de una anchura del área del voltaje del umbral según los primeros datos dichos cuando dispositivo de memoria dicho de semiconductor funciona en el segundo modo dicho. 2. Un dispositivo de memoria permanente de semiconductor según la demanda 1, en donde el voltaje dicho del umbral de cada uno de pluralidad dicha de células de memoria es primer fije al área del voltaje del umbral según los primeros datos dichos cuando está dicho el dispositivo de memoria de semiconductor funciona en el primer modo dicho, después de lo cual dicho el voltaje del umbral de cada uno de pluralidad dicha de células de memoria se fija a área del voltaje del umbral según los primeros datos dichos cuando está dicho el dispositivo de memoria de semiconductor funciona en el segundo modo dicho. |
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| | Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓN1. Esta invención se relaciona con un dispositivo del circuito integrado del semiconductor, por ejemplo una memoria de destello o los similares, y a un sistema de proceso de datos, tales como cámara fotográfica inmóvil digital, en la cual tal semiconductor integró se emplea el dispositivo del circuito.2. Un ejemplo de un dispositivo de memoria de destello se ha divulgado en el 1994 Simposio sobre los circuitos del VLSI, resumen de los papeles técnicos, pp. 61-62.3. En esta memoria de destello, un estado en de el cual el voltaje del umbral de cada uno las células de memoria incluidas en la memoria de destello son altas, y un estado adentro cuál el voltaje del umbral de eso es bajo, se puede definir en cuanto, a ejemplo, un estado borrado y un estado (programado) escrito, respectivamente. En este caso, el escribir puede ser realizado después de que borre las operaciones hayan sido realizado colectivamente en la línea unidades de la palabra, por ejemplo. Sobre la terminación de borre y escriba las operaciones, el uso de voltajes pulso-formados y una operación del verificar se realiza en varias ocasiones hasta un umbral deseado se adquiere el voltaje de modo que no sea un cambio en voltaje del umbral aumentado indeseable.4. Cuando el uso y la transición del voltaje del umbral voltaje en el estado borrado al voltaje del umbral en el estado escrito se ha terminado, él es difícil de variar el voltaje del umbral como el voltaje del umbral acerca al estado escrito. Por lo tanto, el uso de la misma anchura del pulso conducirá a un estado en el cual solamente la operación del verificar se está realizando aun cuando el voltaje del umbral cambios muy poco. Por lo tanto, cuando se desea para realizar la escritura con un fijo escriba el nivel voltaico, la anchura del pulso se hace largo como el voltaje del umbral acerca al estado escrito. El voltaje puede ser aumentado gra |
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| EE.UU. Aplicación:
| 20010000023 |
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