| Examinador Principal: | Edlow; Martin H.
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| Patente EE.UU. Documento(s): | |
3696262
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Anlyzas
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October 01, 1972
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3814996
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Enstrom
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June 01, 1974
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| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
| Padres asunto Texto: |
Ésta es una división del uso Ser. No. 647.761, archivado enero. 9, 1976, cuál es sí mismo una división de Ser. No. 455.231, archivado Mrz. 27, 1974, ahora LOS E.E.U.U. Patente. No. 3.953.880 publicaron el abril. 27, 1976.
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| Demanda (s): | Se exige: 1. El abarcar del dispositivo de la emisión del fotoelectrón del semiconductor un substrato transparente; |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓNEsta invención se relaciona con los dispositivos de la emisión del fotoelectrón del semiconductor.Es posible obtener la emisión del fotoelectrón limpiando la superficie de un semiconductor y activándola con cesio o cesio y oxígeno. Sin embargo, puesto que la retirada o la probabilidad de la emisión de los electrones no se puede hacer suficientemente los semiconductores del highwith que anchuras prohibidas de la venda son menos que cerca de 1 eV, se ha propuesto para formar heterojunctions de los semiconductores prohibidos pequeños de la anchura de banda y de los semiconductores prohibidos grandes de la anchura de banda, y excitar los electrones del formerand emítalos de la superficie del último al ambiente, tal como vacío. Sin embargo, allí puede presentarse un alto índice de la pérdida por la recombinación de los electrones excitados en el curso de alcanzar el interfaz de la ensambladura y la superficie externa, así que los thatthis eran difíciles de realizar en práctica real.El emparejar de enrejado entre los diversos semiconductores también se ha considerado previamente para que la pérdida en la ensambladura pudiera ser aliviada. Por ejemplo, las constantes del enrejado del germanio y del selenide del cinc consisten en buen emparejar. Sin embargo, puesto que los dos semiconductores no harán una solución sólida en una amplia gama de concentraciones, los límites de grano aparecen en la ensambladura y forman un obstáculo grande a las inyecciones de los portadores de la minoría. Además, puesto que el selenide del cinc es un tipo semiconductor del directtransition, los electrones inyectados son perdidos por la recombinación en el curso de pasar con esta región. Por lo tanto la región tiene que ser hecha extremadamente fina, pero esto es absolutamente difícil de obtener técnico.RESUMEN DE LA INVENCIÓNLa actual invención quita los defectos y las desventajas precedentes y otros del arte anterior y abarca un dispositivo capaz de emitir los fotoe |
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| Patente de EE.UU.:
| 4063276 |