transistor del mesa del Silicio-en-zafiro que dopa los bordes

Título:

transistor del mesa del Silicio-en-zafiro que dopa los bordes

Patentes ID:

US4054895

Fecha de emisión:

October 18, 1977

Resumen:

Inestabilidades en el voltaje de la corriente y del umbral de la salida de un transistor del efecto de campo en un substrato del aislador, en la temperatura ambiente y después de la operación en relativamente las temperaturas altas (150.degree. C), es reducida substancialmente selectivamente dopando las regiones del borde adyacentes las superficies laterales transversales de la región del canal del transistor del efecto de campo, en donde el voltaje de interrupción del canal-a-drena la ensambladura se aumenta substancialmente. Los átomos se colocan en estas regiones del borde para proporcionar en esto una concentración de portador por lo menos de 5 .times. 10.sup.16 atoms-cm.sup. - 3 del tipo opuesto de la conductividad a el de la fuente y de las regiones del dren. La región dopada del borde extiende en parte a través de la región dicha del canal y extiende completamente a través de la superficie lateral en el final de la región de la fuente.

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Documento Original:

Silicon-on-sapphire mesa transistor having doped edges

Inventor(s):

Ham; William Edward (Mercerville, NJ, US)

Información de contacto y correo electrónico

Cesionario:

RCA Corporation; (New York, NY, US)

Agente:

Christoffersen; H. Muckelroy; W. L.

Solicitud N º:

754689

Fecha de presentación:

December 27, 1976

Primaria de la Clase:

257/354

Otras Clases:

148/DIG.150 257/E29.28 257/E29.281 257/E29.287 438/164

Campo de Búsqueda:

357/23,52,49,91,56

Examinador Principal:

Miller, Jr.; Stanley D.

Asistente Examinador:

Clawson, Jr.; Joseph E.

Patente EE.UU. Documento(s):

3890632	Ham et al.	June 01, 1975
4015279	Ham	March 01, 1977

De Relaciones Exteriores de Referencia(s):

Demanda (s):

Se exige:

1. En abarcar del dispositivo de semiconductor:

un substrato del material eléctricamente de aislamiento,

Descripción:

Esta invención se relaciona generalmente con los dispositivos de semiconductor. Más particularmente, la invención se relaciona con los transistores estabilizados del efecto de campo en los substratos aisladores con un alto voltaje de interrupción del dren.Las inestabilidades, tales como exceso de corriente de la salida en el voltaje cero de la puerta de ciertos transistores del efecto de campo del silicio-en-zafiro se han observado. Estas inestabilidades eran especialmente sensibles después de que los transistores del efecto de campo fueran attemperatures funcionados superior alrededor a 150.degree. C o en los campos de la puerta superior a .apprxeq. 10.sup.6 V/cm y fueron exhibidos lo más frecuentemente por N-canal SOS/FET'S (transistores del efecto de campo del silicio-en-zafiro). El N-canal SOS/FET del arte anterior alsofrequently exhibió los non-linearities substanciales (torceduras) en las características del dren además de relativamente alto fuente-drena corrientes de la salida. Los dispositivos de semiconductor anteriores superaron substancialmente las altas corrientes de la salida a expensas del voltaje de interrupción del loweringthe del transistor del efecto de campo, específicamente el voltaje de interrupción de la ensambladura del P-N entre el canal y dren. Por ejemplo, los E.E.U.U. Patente. No. 3.890.632 publicaron el 17 de junio de 1975 a Ham y otros. divulga una encarnación de un dispositivo del efecto del stabilizedfield que abarque un mesa del material del semiconductor del solo cristal en un substrato aislador. El mesa tiene superficies laterales el extender transversalmente del substrato y de una región del canal entre las superficies laterales opuestas. Selectivamente las regiones del dopededge de la región del canal, adyacentes el lado del contrario emergen, tienen más modificantes de la conductividad en esto que el resto de la región del canal adyacente una superficie superior, por el que el voltaje del umbral en estas regiones dopa

Patente de EE.UU.:

4054895