| Resumen: | Un método para producir plasmas estables de la descarga del resplandor de la presión atmosférica usando la excitación del RF y el uso de las plasmas dichas para modificar la capa superficial de materiales. El plasma generada por este proceso y su capacidad superficial de la modificación dependen del tipo de gases usados y de su reactividad química. Estas plasmas se pueden utilizar para una variedad de usos, incluyendo la aguafuerte del material orgánico de la capa superficial de substratos inorgánicos, como alternativa ambientalmente benigno a las limpiezas industriales que emplean actualmente solventes y desengrasadores, como método de pelar la pintura de superficies, para la modificación superficial de compuestos antes de operaciones adhesivas de la vinculación, para el uso como etcher localizado de tableros y de asambleas electrónicos y en la fabricación microelectrónica, y para la esterilización de las herramientas usadas en usos médicos. |
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| Demanda (s): | Se demanda qué: 1. Un método de funcionar abarcar del compartimiento del plasma de la presión atmosférica los pasos de: juntar un r.f. fuente de alimentación con un coaxial línea de la transmisión a una red que templa convenientemente diseñada; juntar un gas múltiple al compartimiento del plasma; y entonces aumentando el r.f. energía a produzca un plasma en un gas de la mezcla del oxígeno; exponer polimérico thick-film resistores a esta plasma y así a ajustarlos a un valor deseado. 2. Un método de funcionar abarcar del compartimiento del plasma de la presión atmosférica los pasos de: juntar un r.f. fuente de alimentación con un coaxial línea de la transmisión a una red que templa convenientemente diseñada; juntar un gas múltiple al compartimiento del plasma; y entonces aumentando el r.f. energía a produzca un plasma en un gas de la mezcla del oxígeno; exponer piezas al plasma piezas dichas de tal modo de esterilización. |
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| Descripción: | REFERENCIA RECÍPROCA A LOS USOS RELACIONADOS1. Este uso es un divisional del uso copendiente anterior Ser. No. 08/632.254, archivado abril. 15, 1996.CAMPO TÉCNICO2. Esta invención se relaciona con un método usado para la producción de plasmas de la presión atmosférica de varias mezclas gaseosas y de su uso para la modificación superficial de materiales.FONDO DE LA INVENCIÓN3. Las plasmas de la presión atmosférica se han sabido desde el amanecer del hombre. A el ejemplo clásico es relámpago. Estas plasmas atmosféricas (C.C.-tipo) ocurren cuando un alto potencial causa la interrupción dieléctrica del aire (>8 KV/cm en aire). Este tipo de plasma se utiliza para producir varios tipos de capas de cerámica en un aparato sabido en la industria como “arma del plasma”. La mayoría de la otra plasma que produce los dispositivos hace tan en un sistema del vacío. Tales los sistemas vacío-basados son ampliamente utilizados en la industria de la microelectrónica para la deposición de películas finas y para la varias aguafuerte y superficie usos de la modificación. La mayor parte de éstos vacío-basaron la generación del plasma uso RF de los sistemas o excitación de la energía de la microonda de sostener un plasma estable ambiente. Mientras que un plasma estable es relativamente fácil de generar y mantenga en las presiones bajas que es mucho más duro hacer tan en ambiente presiones, debido a las trayectorias libres malas muy cortas y a la recombinación grande índice de los radicales del plasma. Las discusiones del vacío-tipo plasmas se dan en el “manual de la tecnología de proceso del plasma”, corregido por el S. Rossnagel, J. Cuomo, y W. Westwood.4. Mientras que las capacidades del vacío-tipo plasmas son limitadas por el tamaño del compartimiento del vacío y del sistema de bombeo asociado, un atmosférico el sistema del plasma de la presión se puede configurar con la limitación muy pequeña encendido |
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| EE.UU. Aplicación:
| 20010000206 |