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| Demanda (s): | En las demandas: 1. Un método de fabricar un dispositivo de semiconductor, método dicho abarcar los pasos de: formación de una película amorfa del semiconductor en superficie aislador; introducir un material del catalizador en por lo menos a porción de la película amorfa del semiconductor, material dicho del catalizador que es capaz de promover la cristalización de la película amorfa del semiconductor; calefacción de la película amorfa del semiconductor para cristalizar el amorfo película del semiconductor; irradiación de la película cristalizada del semiconductor con una luz laser para formar una pluralidad de regiones del monodomain en película cristalizada del semiconductor. (Encarnación 2) 2. Un método según la demanda 1, en donde el material del catalizador está en menos un elemento seleccionado del grupo que consiste en FE, Co, Ni, Ru, Derecho, paladio, OS, Ir, pinta, Cu, AG, y Au. (Página 3, líneas 15-17) |
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| Descripción: | FONDO DE LA INVENCIÓN1. 1. Campo de la invención2. La actual invención se relaciona con un monolítico parecido a la película fino dispositivo de semiconductor que tiene una pluralidad de transistores de la película fina (TFTs). El TFTs fabricado en la actual invención es ambos formados encendido substratos aisladores tales como cristal o similares y en el semiconductor substratos tales como silicio del solo cristal o similares. Más particularmente, la actual invención se relaciona con un circuito de semiconductor que tenga un punto bajo apresure el circuito de funcionamiento de la matriz tal como un tipo activo monolítico de la matriz circuito (que se utiliza en una exhibición de cristal líquido o los similares) y a velocidad que funciona el circuito periférico para conducir el circuito de la matriz.3. 2. Descripción del arte anterior4. Estos últimos años, la investigación se ha hecho en los dispositivos de semiconductor de tipo aislado de la puerta, los dispositivos que tienen un fino película-como capa activa (que se refiere como capa activa) en un substrato aislador. En el detalle, esfuerzos se concentra en estudiar el tipo de la puerta de la película fina transistores, o transistores supuestos de la película fina (TFTs). El TFTs es formado en una película aislador transparente, y se utilizan para el control de cada pixel y en un circuito que conduce en una exhibición que se forma de a de cristal líquido o similares y que tiene una estructura de la matriz.5. Los ejemplos de los semiconductores de la película fina que constituyen TFTs incluyen semiconductores amorfos del silicio y semiconductores cristalinos que son cristalizado por la irradiación de la calefacción o de la luz laser del amorfo semiconductores del silicio. El usar de TFTs este película fina del silicio amorfo y la película fina del silicio cristalino se refiere como silicio amorfo TFTs y TFTs cristalino.6. Generalmente |
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| EE.UU. Aplicación:
| 20010000154 |