| Patente EE.UU. Documento(s): | |
| De Relaciones Exteriores de Referencia(s): | |
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| Demanda (s): | Mit de Substrat del einem del auf de Spiralinduktivität del einer de Herstellung del zur de Verfahren (6, 18) 1) (folgenden Verfahrensschritten: - El einer de Bilden strukturierten el einer del und de Induktivitätsmetallisierung (6) strukturierten oberen 5) substratos de los eines de Oberseite del der del auf de Massemetallisierung ((1); - El einer Isolationsschicht (3) de Bilden más zumindest zwischen el der del und de Induktivitätsmetallisierung del der (6) oberen el der Induktivitätsmetallisierung (6) del über del und de Massemetallisierung (5); - derart de Induktivitätsmetallisierung del der del unterhalb de los substratos del DES de Bereiches de los eines de Zurückätzen del vollständig (19, 20) 1) (6) (, dass que durch más zumindest Einbettung del vollständig de Induktivitätsmetallisierung del der de Windungen del dado los 6) (en vollständig del dem del über del hängend del frei de Isolationsschicht del dado (3) zurückgeätzten getragen del DES Substrats de Bereich (19, 20) 1) (werden; und - el DES de Oberfläche del der de Metallisieren del strukturiert zurückgeätzten einer de Bilden del zum de los substratos del DES de Bereiches (19, 20) 1) (gesamtverbundenen el vollständig del dem del über del sich del der del und de Massestelle zurückgeätzten Bereich (20) befindlichen el zum Bilden von de Induktivitätsmetallisierung del der de Abschnitte (6, 18) verdickten el der Spiralinduktivität (6, 18) de Windungen. Nach Anspruch 1 de Verfahren,gekennzeichnet del dadurch,dass zusätzliche Schicht (2), dielektrische Isolationsschicht (2), wird del eine del erste del eine del insbesondere del gebildet de Metallisierungen del der de Bilden del dem del vor de los substratos del DES de Oberseite del der del auf 1) ((5, 6). Nach Anspruch de Verfahren 1 oder 2,gekennzeichnet del dadurch,dass wird del ausgeführt de Substrat-Ätzschritte del aufeinanderfolgende del zwei del durch de Induktivitätsmetallisierung del der del unterhalb de los substratos del DES de Bereiches de los eines de Zurückätzen del vollständige de los das (19, 20) 1) ((6, 18), wobei en einem ersten einer de Bilden del zum de Induktivitätsmetallisierung del der del unterhalb de los substratos del DES de Bereich del ein de Ätzschritt (19) 1) ((6, 18) dünnen el und del zurückgeätzt del teilweise de Induktivitätsmetallisierung del der del unterhalb de Substratschicht (21) (6) en einem anschließenden zweiten el der de Abschnitt del ein de Ätzschritt (20) dünnen el DES de Stufenstruktur del einer de Bilden del zum de Induktivitätsmetallisierung del der del unterhalb de Substratschicht (21) (6, 18) zurückgeätzten wird del zurückgeätzt del vollständig de los substratos del DES de Bereiches (19, 20) 1) (. |
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| Descripción: | Muera el bzw de Spiralinduktivität del hergestellte de Verfahren del derartigen del einem del nach del eine del und de Substrat del einem del auf de Spiralinduktivität del einer de Herstellung del zur de Verfahren del ein del betrifft de Erfindung del vorliegende. hergestelltes Bauelement.El einem Halbleitersubstrat de Bauelemente-Modellierung von auf del dado integrierten el ein de Rolle del größere del immer del eine de Betriebsfrequenz del steigender del mit del nimmt de Bauelementen, dado Leitungseigenschaften, dado Reflektionen del dann del da un Diskontinuitäten, dado Verlustleistungen del und de Überlappen de los das zunehmen. El dieser Effekte de Berücksichtigung del eine del ist de Somit en el der Modellierung, insbesondere im Hochfrequenzbereich, im allgemeinen el unerlässlich. Niederohmigen Substrat, Silizium-Germanio-Substrat del einem del oder de Silizium-Substrat del einem del beispielsweise del wie, vernachlässigen del einem del bei de Insbesondere del zu del nicht de Kapazitäten del zusätzlicher del und de Substratleitfähigkeit del der de Einfluss del parasitäre del der del ist.El beliebige Induktivitäten del auf del allgemein de Obwohl anwendbar, werden el liegende Problematik del zugrunde del ihr del dado del sowie de Erfindung del vorliegende del dado en erläutert del näher de Spiralinduktivität del eine del auf de Bezug.El wertvolle Bauelemente del sind de Induktivitäten del integrierte de Substrat del einem de Auf en Radiofrequenzschaltungen, über del welche einen großen Anwendungsbereich, beispielsweise adentro schnurlosen Kommunikationssystemen, verfügen. El schnurlose Kommunikationssysteme de Als kommen servicios personales de la comunicación del beispielsweise, la red de área local de la radio, Satelliten-Kommunikationssysteme, los GPS-Systeme, el etc. en FrageAllgemeines que der del problema integrierten el besteht de Induktivitäten en el niedrigen Qualitätsfaktoren del relativ de la guarida, einer de Ein zufriedenstellenden Erdung, abweic |
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